[发明专利]存储单元组合规律的验证方法

权利要求书

1、一种存储单元组合规律的验证方法，所述存储单元重复组合为存储芯片，所述存储芯片包括存储单元的有源区、形成在有源区表面的介质层和介质层上的金属连线层，所述存储单元组合的验证方法包括以下步骤：

步骤1：在所述待验证的存储芯片上标记待损伤位置；

步骤2：采用聚焦离子束在待损伤位置制作预定面积和深度的损伤凹口；

步骤3：采用测试机测试已制作好损伤凹口的存储芯片，标记所述测试机测试到的存储单元失效位置；

步骤4：去除所述存储芯片存储单元有源层表面的介质层和金属连线层，确定步骤2制作的损伤凹口的位置；

步骤5：比对步骤3测得的存储单元失效位置与步骤4确定的损伤凹口的位置。

2、如权利要求1所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，所述步骤1是采用光学显微镜和激光在所述待验证的存储芯片上标记若干个待损伤位置。

3、如权利要求2所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，所述标记的若干个待损伤位置团簇在所述待验证的存储芯片的一角。

4、如权利要求3所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，所述步骤2制作损伤凹口的待损伤位置为团簇在所述待验证存储芯片一角的若干待损伤位置中的其一。

5、如权利要求1所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，在步骤2和步骤3之间还包括用金属填充损伤凹口的步骤。

6、如权利要求5所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，采用化学气相法沉积金属填充所述损伤凹口。

7、如权利要求5所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，所述填充损伤凹口的金属采用铂、钨或钼金属。

8、如权利要求1所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，所述步骤4去除所述存储芯片有源层表面的介质层和金属连线层采用湿法蚀刻去除。

9、如权利要求8所述存储单元组合规律的验证方法，其特征在于，所述湿法蚀刻采用氟化氢溶液。