[发明专利]用于闪存器件的字线增压器

说明书

技术领域

本发明一般地涉及半导体集成电路，并且具体而言，本发明提供一种字 线增压器电路，以便在非易失性存储器器件的读模式或者数据验证模式过程 中驱动字线。

背景技术

存储器器件包括按行和列来排列的存储器单元阵列。并行数据传送线或 者位线被提供且连接到存储器单元列中单元晶体管的电流承载电极。并行控 制线或者字线与存储器单元行的控制电极相关联。当激活字线并且选择某一 位线时，致使所选存储器单元中的晶体管导通以将数字信息从单元电容器传 送到其中的相应位线。由此从所选存储器单元读取数字信息。

经由字线向存储器单元晶体管的控制栅极供应的高电压应当被布置为 在电势上量值大于位线上高电平的信息电压。电压之间的差是必要的以便补 偿由存储器单元晶体管的阈值电压所引起的字线驱动电压的电势下降。使用 在字线增压器电路内布置的具体电容器来生成高电压。电容器可以充当用于 产生比DRAM的电源电压Vcc更高的字线驱动电压的“增压”或者自溢 (bootstrap)电容器。一般而言，自溢电容器在其朝向电源电压的一个电极 被预充电，而它的另一电极初始地处于接地电势、然后被驱动上升到电源电 压，由此利用这样的电压增压系统来产生适当电势电平的字线驱动电压。

一般而言，只要因地址改变而触发地址转换检测信号，字线增压器电路 就生成字线电压。在写模式过程中，来自逻辑控制器的写控制信号生成相关 信号以便控制电荷泵。电荷泵所生成的抽运电压通过高电压开关来驱动行解 码器和列解码器。在读模式过程中，提供来自字线增压器的字线电压而不是 抽运电压。

在闪存EEPROM的情况下，为了使用热电子注入机制将数据编程到存 储器单元中，需要约9V的字线偏置和约5V的位线偏置。在读模式过程中， 需要约3V的字线偏置和约1V的位线电压，以便从编程的单元或者擦除的 单元读取信息。针对这些存储器操作，希望有一种字线增压器电路，其可以 在低功耗的电源电压时生成具有小变化的稳定的字线电压，以便制造低功率 高电压非易失性存储器器件。

从上文中可见，希望有一种在存储器操作的读模式或者验证模式过程中 具有较小的电源电压变化的改进字线增压器电路。

发明内容

本发明一般地涉及半导体集成电路，并且具体而言，本发明提供一种字 线驱动器电路，以便在非易失性存储器器件的读模式或者数据验证模式过程 中驱动字线。

在一个具体实施例中，本发明提供一种非易失性存储器器件，包括：存 储器单元行和列的阵列；以及与存储器单元相关联的多个字线和位线。该存 储器器件还包括：与字线耦合的字线增压器电路，用于在存储器器件的操作 过程中向所选字线供应字线电压，其中字线增压器电路包括：并联连接的第 一增压电容器和第二增压电容器；以及第一预充电电路，用于对第一增压电 容器和第二增压电容器预充电。字线增压器电路还包括：第三增压电容器， 经由电荷共享晶体管可操作地连接到第一增压电容器和第二增压电容器，第 三增压电容器连接到负载电阻器的一端以在电荷共享晶体管被使能时在负 载电阻器的另一端生成用作字线电压的输出信号；以及第二预充电电路，用 于对第三增压电容器预充电。此外，字线增压器电路还包括：高电压检测器 电路，用于在非易失性存储器器件的读模式过程中当字线电压达到目标电压 时生成检测信号；以及时钟控制电路，用于在接收来自地址转换检测器的控 制信号和来自电压检测器的检测信号时使能电荷共享晶体管以及使第一增 压电容器和第二增压电容器中的一个去使能。