[发明专利]用于闪存器件的字线增压器

权利要求书

1.一种非易失性存储器器件，包括：

存储器单元行和列的阵列；

与所述存储器单元相关联的多个字线和位线；

与所述字线耦合的字线增压器电路，用于在所述存储器器件的操作 过程中向所选字线供应字线电压，其中所述字线增压器电路包括：

并联连接的第一增压电容器和第二增压电容器；

第一预充电电路，用于对所述第一增压电容器和所述第二增压电容 器预充电；

第三增压电容器，经由电荷共享晶体管可操作地连接到所述第一增 压电容器和所述第二增压电容器，所述第三增压电容器连接到负载电阻 器的一端以便在所述电荷共享晶体管被使能时在所述负载电阻器的另一 端生成输出信号以用作所述字线电压；

第二预充电电路，用于对所述第三增压电容器预充电；

电压检测器，用于在所述非易失性存储器器件的读模式过程中当所 述字线电压达到目标电压时生成检测信号；以及

时钟控制电路，用于在接收到来自地址转换检测器的控制信号和来 自所述电压检测器的所述检测信号时、使能所述电荷共享晶体管以及使 所述第一增压电容器和所述第二增压电容器中的一个去使能。

2.根据权利要求1所述的存储器器件，其中至少一个附加增压电容 器并联连接到所述第一增压电容器和所述第二增压电容器。

3.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述第三增压电容器连 接到放电电路，以便响应放电使能信号对由所述第一增压电容器或者由 所述第二增压电容器所增压的增压电压进行放电。

4.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述电荷共享晶体管是 PMOS晶体管。

5.根据权利要求1所述的存储器器件，其中用于对所述第一增压电 容器和所述第二增压电容器预充电的所述第一预充电电路包括：

NMOS晶体管，在其栅极连接到来自所述时钟控制电路的预充电使 能信号，所述NMOS晶体管的漏极接地；以及

PMOS晶体管，在其源极连接到电源电压，所述PMOS晶体管的漏 极连接到所述第一增压电容器和所述第二增压电容器，而所述PMOS晶 体管的栅极连接到所述NMOS晶体管的源极，由此预充电所述第一增压 电容器和所述第二增压电容器至所述电源电压而无阈值电压损耗。

6.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述电压检测器响应于 来自所述地址转换检测器的所述控制信号和所述第三增压电容器所生成 的所述输出信号来生成所述检测信号。

7.根据权利要求1所述的存储器器件，其中所述电压检测器包括：

串联连接的第一PMOS晶体管和第二PMOS晶体管，所述第一 PMOS晶体管和所述第二PMOS晶体管的栅极和漏极节点为二极管连 接；

所述第二PMOS晶体管的漏极节点连接到相互串联连接的第一 NMOS晶体管和第二NMOS晶体管并连接到第三NMOS晶体管的栅 极；

第四NMOS晶体管，串联连接到所述第三NMOS晶体管；以及

负载电阻器，所述负载电阻器的一端连接到电源电压，另一端连接 到所述第三NMOS晶体管的源极和共发共基放大器，用于生成适于使所 述第一增压电容器和所述第二增压电容器中的一个去使能的所述检测信 号。

8.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述负载电阻器连接到 所述第二NMOS晶体管的栅极。

9.根据权利要求7所述的存储器器件，其中所述共发共基放大器包 括至少两级。