[发明专利]薄型四侧扁平无引脚封装方法有效

专利信息
申请号: 200810034572.6 申请日: 2008-03-13
公开(公告)号: CN101533783A 公开(公告)日: 2009-09-16
发明(设计)人: 谭小春;李志宁;蒋晓兰 申请(专利权)人: 上海凯虹电子有限公司
主分类号: H01L21/50 分类号: H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L21/60
代理公司: 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) 代理人: 翟 羽
地址: 201612上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 薄型四侧 扁平 引脚 封装 方法
【权利要求书】:

1.一种薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,包括如下步骤:

采用第一涂覆物质涂覆晶圆的第一表面,即背面,形成连续的覆盖层;

将晶圆切割成若干个分立的半导体晶粒,每一个分立的半导体晶粒的表面都具有从上述连续覆盖层中切割下来的覆盖层;

将若干个分立的半导体晶粒的覆盖层贴装在一个粘性膜的表面上;

采用第二涂覆物质涂覆粘性膜表面上方暴露的表面,第二涂覆物质将贴装在粘性表面的半导体晶粒包拢在一起,形成一个整块的封装体;

切割上述整块的封装体,得到若干个独立的封装完毕的半导体晶粒。

2.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述粘性膜表面贴有引线框架,将分立的半导体晶粒的覆盖层贴装在贴装表面上的步骤包括分别将每一个半导体晶粒单独置于引线框架的框体内。

3.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:

采用引线键合的方法将分立半导体晶粒表面的导电触点同对应的引线框架上的导电引脚相连接,所述引线框架与分立半导体晶粒覆盖层均贴装在粘性膜上。

4.根据权利要求1所述的薄型四侧无引脚封装方法,其特征在于,所述涂覆粘性膜表面上方暴露的表面的步骤包括涂覆暴露的分立半导体晶粒表面与引线框架,所述引线框架的一部分与分立半导体晶粒表面覆盖层的一部分被贴装在粘性膜表面上,上述被贴装的部分是不暴露出来的。

5.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第一涂覆物质与第二涂覆物质的材料是相同的。

6.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第二涂覆物质与第一涂覆物质的一部分相融合。

7.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第二涂覆物质与第一涂覆物质的一部分粘附在一起。

8.一种薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,包括如下步骤:

将晶圆的第一表面,即正面,与第一粘性表面,即蓝膜,贴装在一起;

在晶圆的第二表面,即背面,生长金属层,使晶圆的表面成为金属;

通过晶圆的划片槽切割晶圆,从而形成分立的半导体晶粒,每一个分立的半导体晶粒均具有由上一步骤所形成的金属表面;

将分立半导体晶粒的金属表面同第二粘性表面,即框架上粘性膜表面,贴装在一起,从而使金属表面不再暴露在外面;

引线键合;

涂覆第二粘性表面上方暴露的表面,形成一个整块的塑封体;

切割上述整块的塑封体,得到若干个独立的封装完毕的半导体晶粒。

9.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:

在所述晶圆的第二表面上进行切割,从而形成凹槽;

所述之生长金属层的步骤可以在第二表面上形成一个可辨认的沟道,从而提供了一个用来进行对准操作的表面。

10.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:

在所述通过晶圆的划片槽切割晶圆的步骤之前,沿着晶圆第二表面的切割槽切割晶圆,从而形成一个高度小于晶圆厚度的第一切割槽。

11.根据权利要求10所述的方形扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述对晶圆的第二次切割产生的第二切割槽的宽度小于第一切割槽的宽度,从而在切割的位置形成台阶。

12.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第一粘性表面由第一晶圆贴膜提供,第一晶圆贴膜具有一定的厚度,所述对晶圆进行切割时,也对第一晶圆贴膜的一部分进行切割。

13.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述引线框架与第二粘贴表面贴装在一起,所述将分立半导体晶粒的金属表面粘贴在第二粘性表面包括分别将每一个半导体晶粒单独置于引线框架的框体内。

14.根据权利要求13所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述涂覆第二粘性表面上方暴露的表面的步骤,包括涂覆暴露的分立半导体晶粒表面与引线框架,所述引线框架的一部分与分立半导体晶粒的金属表面的一部分被贴装在粘性表面上,上述被贴装的部分是不暴露出来的。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海凯虹电子有限公司,未经上海凯虹电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810034572.6/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top