[发明专利]薄型四侧扁平无引脚封装方法有效
申请号: | 200810034572.6 | 申请日: | 2008-03-13 |
公开(公告)号: | CN101533783A | 公开(公告)日: | 2009-09-16 |
发明(设计)人: | 谭小春;李志宁;蒋晓兰 | 申请(专利权)人: | 上海凯虹电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/78;H01L21/60 |
代理公司: | 上海翼胜专利商标事务所(普通合伙) | 代理人: | 翟 羽 |
地址: | 201612上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 薄型四侧 扁平 引脚 封装 方法 | ||
1.一种薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
采用第一涂覆物质涂覆晶圆的第一表面,即背面,形成连续的覆盖层;
将晶圆切割成若干个分立的半导体晶粒,每一个分立的半导体晶粒的表面都具有从上述连续覆盖层中切割下来的覆盖层;
将若干个分立的半导体晶粒的覆盖层贴装在一个粘性膜的表面上;
采用第二涂覆物质涂覆粘性膜表面上方暴露的表面,第二涂覆物质将贴装在粘性表面的半导体晶粒包拢在一起,形成一个整块的封装体;
切割上述整块的封装体,得到若干个独立的封装完毕的半导体晶粒。
2.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述粘性膜表面贴有引线框架,将分立的半导体晶粒的覆盖层贴装在贴装表面上的步骤包括分别将每一个半导体晶粒单独置于引线框架的框体内。
3.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:
采用引线键合的方法将分立半导体晶粒表面的导电触点同对应的引线框架上的导电引脚相连接,所述引线框架与分立半导体晶粒覆盖层均贴装在粘性膜上。
4.根据权利要求1所述的薄型四侧无引脚封装方法,其特征在于,所述涂覆粘性膜表面上方暴露的表面的步骤包括涂覆暴露的分立半导体晶粒表面与引线框架,所述引线框架的一部分与分立半导体晶粒表面覆盖层的一部分被贴装在粘性膜表面上,上述被贴装的部分是不暴露出来的。
5.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第一涂覆物质与第二涂覆物质的材料是相同的。
6.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第二涂覆物质与第一涂覆物质的一部分相融合。
7.根据权利要求1所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第二涂覆物质与第一涂覆物质的一部分粘附在一起。
8.一种薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,包括如下步骤:
将晶圆的第一表面,即正面,与第一粘性表面,即蓝膜,贴装在一起;
在晶圆的第二表面,即背面,生长金属层,使晶圆的表面成为金属;
通过晶圆的划片槽切割晶圆,从而形成分立的半导体晶粒,每一个分立的半导体晶粒均具有由上一步骤所形成的金属表面;
将分立半导体晶粒的金属表面同第二粘性表面,即框架上粘性膜表面,贴装在一起,从而使金属表面不再暴露在外面;
引线键合;
涂覆第二粘性表面上方暴露的表面,形成一个整块的塑封体;
切割上述整块的塑封体,得到若干个独立的封装完毕的半导体晶粒。
9.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:
在所述晶圆的第二表面上进行切割,从而形成凹槽;
所述之生长金属层的步骤可以在第二表面上形成一个可辨认的沟道,从而提供了一个用来进行对准操作的表面。
10.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,进一步包括如下步骤:
在所述通过晶圆的划片槽切割晶圆的步骤之前,沿着晶圆第二表面的切割槽切割晶圆,从而形成一个高度小于晶圆厚度的第一切割槽。
11.根据权利要求10所述的方形扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述对晶圆的第二次切割产生的第二切割槽的宽度小于第一切割槽的宽度,从而在切割的位置形成台阶。
12.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述第一粘性表面由第一晶圆贴膜提供,第一晶圆贴膜具有一定的厚度,所述对晶圆进行切割时,也对第一晶圆贴膜的一部分进行切割。
13.根据权利要求8所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述引线框架与第二粘贴表面贴装在一起,所述将分立半导体晶粒的金属表面粘贴在第二粘性表面包括分别将每一个半导体晶粒单独置于引线框架的框体内。
14.根据权利要求13所述的薄型四侧扁平无引脚封装方法,其特征在于,所述涂覆第二粘性表面上方暴露的表面的步骤,包括涂覆暴露的分立半导体晶粒表面与引线框架,所述引线框架的一部分与分立半导体晶粒的金属表面的一部分被贴装在粘性表面上,上述被贴装的部分是不暴露出来的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造