[发明专利]带静电保护的高导通电压LED集成芯片及制造方法

权利要求书

1.一种带静电保护的高导通电压LED集成芯片，包括若干个LED裸芯片(1)和硅衬底(2)，所述LED裸芯片(1)包括衬底(10)和N型外延层(11)、P型外延层(12)，其特征在于：所述硅衬底(2)上生成有导热绝缘层I(41)，所述导热绝缘层I(41)上生成有导热绝缘层II(42)，所述导热绝缘层II(42)上沉积有金属层(6)，各所述LED裸芯片(1)正装或倒装在各所述金属层(6)上，若干个所述LED裸芯片(1)之间通过所述金属层(6)相连接组成电路，所述导热绝缘层I(41)与所述导热绝缘层II(42)之间于每个所述LED裸芯片(1)处均设有一个多晶硅块，每个所述多晶硅块的中间为多晶硅区I(9)、两侧为与所述多晶硅区I(9)极性相反的多晶硅区II(5)，两个分离的所述金属层(6)分别与位于同一个所述多晶硅块内的两侧的所述多晶硅区II(5)相连接。

2.根据权利要求1所述的带静电保护的高导通电压LED集成芯片，其特征在于：各所述LED裸芯片(1)对应的所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过焊球(80、81)倒装焊接在两个分离的所述金属层(6)上，所述焊球(80、81)为金球栓或铜球栓或锡球。

3.根据权利要求1所述的带静电保护的高导通电压LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)为单电极芯片，所述衬底(10)为砷化镓或碳化硅衬底，所述衬底(10)用银浆或锡粘合在所述金属层(6)上，所述LED裸芯片(1)的电极接点通过金属线(41)焊接在相邻的一个所述金属层(6)上。

4.根据权利要求1所述的带静电保护的高导通电压LED集成芯片，其特征在于：所述LED裸芯片(1)为双电极芯片，所述衬底(10)为氧化铝衬底，所述衬底(10)用银浆或锡粘合在所述金属层(6)上，所述P型外延层(12)、所述N型外延层(11)分别通过金属线(42、43)焊接在相邻的两个所述金属层(6)上。

5.根据权利要求1所述的带静电保护的高导通电压LED集成芯片，其特征在于：所述硅衬底(2)的正面向内扩散有一层N+扩散层(3)。

6.根据权利要求1所述的带静电保护的高导通电压LED集成芯片，其特征在于：所述硅衬底(2)的背面还有由一层或多层金属构成的散热层(7)。

7.根据权利要求1至6任意一项所述的带静电保护的高导通电压LED集成芯片，其特征在于：若干个所述LED裸芯片(1)之间串联或并联或串并联组合连接，所述导热绝缘层I(41)由氮化硅层或二氧化硅层或氮化硅层与二氧化硅层组合构成，所述导热绝缘层II(42)由二氧化硅层构成，所述金属层(6)的外表面为反光面，所述硅衬底(2)为P型或N型，所述金属层(6)为铝或铜或硅铝合金。