[发明专利]像素阵列基板以及液晶显示装置有效
申请号: | 200810001620.1 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101477988A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 谢志勇;陈建宏;陈英仁 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 以及 液晶 显示装置 | ||
技术领域
本发明涉及一种像素阵列基板以及液晶显示装置,且特别涉及一种多域 垂直配向设计的像素阵列基板以及液晶显示装置。
背景技术
针对多媒体社会的急速进步,多半受惠于半导体元件或显示装置的飞跃 性进步。就显示装置而言,具有高画质、空间利用效率佳、低消耗功率、无 辐射等优越特性的薄膜晶体管液晶显示装置(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD)已逐渐成为市场的主流。
目前,市场对于液晶显示装置的性能要求是朝向高对比(high contrast ratio)、无灰阶反转(no gray scale inversion)、色偏小(low color shift)、亮度高 (high luminance)、高色彩丰富度、高色饱和度、快速反应与广视角等特性。 目前能够达成广视角要求的技术包括了扭转向列型(twisted nematic,TN)液晶 加上广视角膜(wide viewing film)、共平面切换式(in-plane switching,IPS)液晶 显示装置、边际场切换式(fringe field switching)液晶显示装置与多域垂直配向 薄膜晶体管液晶显示装置等。
在此,针对已知多域垂直配向液晶显示装置进行说明。图1为已知多域 垂直配向液晶显示装置的像素阵列基板的单一像素区的俯视图。请参照图1, 在已知多域垂直配向液晶显示装置中,像素阵列基板100上配置有扫描线 102与数据线104,扫描线102与数据线104可定义一个像素区。单一像素 区中,像素阵列基板100上配置有第一有源元件106、第二有源元件108以 及像素电极110。第一有源元件106与第二有源元件108电性连接扫描线102 与数据线104。像素电极110具有多个配向狭缝(alignment-slit)112与多个细 狭缝(fine-slit)114。此外,为了使多域垂直配向液晶显示面板的显示效果更为 提升,可以利用配向狭缝112将像素电极110区分为彼此分离的第一像素电 极110A以及第二像素电极110B。第一像素电极110A以及第二像素电极 110B分别电性连接第一有源元件106与第二有源元件108。
像素阵列基板100可与具有多个狭缝的彩色滤光基板(未绘示)组装,并 在其间填入液晶以构成液晶显示装置。由于,配置于彩色滤光基板(未绘示) 或像素阵列基板100上的狭缝(112、114)在通电后由于电场在狭缝处会呈现 弯曲,利用此边场效应,可以使得液晶分子呈多方向排列,得到数个不同的 配向域(domain),因此多域垂直配向式液晶显示装置能够达成广视角的要求。 另外,当多域垂直配向液晶显示装置进行显示时,可使第一像素电极110A 以及第二像素电极110B具有不同的电压,以改善大视角观看显示画面时可 能存在的色偏与色饱和度不足的问题。
然而,为了使像素电极110具有如图1所示的布局,第二像素电极110B 必须具有多个细长的连接部116以将不同位置上的电极图案连接。这些连接 部116可以长达数十微米。因此,在制作像素电极110时,一旦工艺发生些 微误差,就容易使连接部116断线。若有一个连接部116发生断线,第二像 素电极110B将被分离成两个独立的电极图案,且其中一个电极图案将无法 接收第二有源元件108所传送的电压信号而无法进行显示。换言之,些微的 工艺误差就可能造成多域垂直配向液晶显示装置工艺成品率的下降。所以, 要使多域垂直配向液晶显示装置的成品率提升并维持良好的广视角显示效 果,需先克服制作像素电极110时细长的连接部116断线所产生的问题。
发明内容
本发明提供一种像素阵列基板,以解决已知的像素电极容易产生断线而 造成电极图案分离的问题。
本发明还提供一种液晶显示装置,以提升液晶显示装置的工艺成品率。
本发明提出一种像素阵列基板,具有多个像素区、多个第一像素电极与 多个第二像素电极。各像素区内配置有对应的第一像素电极与第二像素电 极,各第二像素电极完整地包围对应的第一像素电极并与对应的第一像素电 极分离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于奇美电子股份有限公司,未经奇美电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200810001620.1/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的