[发明专利]像素阵列基板以及液晶显示装置有效
申请号: | 200810001620.1 | 申请日: | 2008-01-04 |
公开(公告)号: | CN101477988A | 公开(公告)日: | 2009-07-08 |
发明(设计)人: | 谢志勇;陈建宏;陈英仁 | 申请(专利权)人: | 奇美电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;G02F1/1362 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张 波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 像素 阵列 以及 液晶 显示装置 | ||
1.一种像素阵列基板,具有多个像素区、多个第一像素电极与多个第 二像素电极,各该像素区内配置有对应的该第一像素电极与该第二像素电 极,各该第二像素电极完整地包围对应的该第一像素电极并与对应的该第一 像素电极物理分离。
2.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中各该第一像素电极呈V字 形或W字形。
3.如权利要求1所述的像素阵列基板,还具有多条扫描线、多条数据 线、多个有源元件,其中这些扫描线与这些数据线相交而定义出这些像素区, 各该像素区内更配置有对应的该有源元件,这些有源元件对应地电性连接这 些扫描线与这些数据线,各该有源元件电性连接位于同一像素区的该第一像 素电极与该第二像素电极。
4.如权利要求1所述的像素阵列基板,其中这些第一像素电极以及这 些第二像素电极的边缘具有多个细狭缝。
5.一种液晶显示装置,包括:
像素阵列基板,具有多个像素区、多个第一像素电极与多个第二像素电 极,各该像素区内配置有对应的该第一像素电极与该第二像素电极,各该第 二像素电极完整地包围对应的该第一像素电极并与对应的该第一像素电极 物理分离;
对向基板,具有共用电极;以及
液晶层,配置于该像素阵列基板与该对向基板之间。
6.如权利要求5所述的液晶显示装置,其中该像素阵列基板还具有多 条扫描线、多条数据线、多个有源元件,其中这些扫描线与这些数据线相交 而定义出这些像素区,各该像素区内更配置有对应的该有源元件,这些有源 元件对应地电性连接这些扫描线与这些数据线,且这些有源元件对应地电性 连接位于同一像素区的该第一像素电极与该第二像素电极。
7.如权利要求6所述的液晶显示装置,其中各该第二像素电极具有呈 条状的至少一连接部,该连接部的延伸方向与这些数据线的延伸方向平行, 各该第二像素电极的该连接部与被对应包围的该第一像素电极之间间隔有 第一主狭缝,该共用电极具有平行于这些第一主狭缝的多个第二主狭缝,这 些第一主狭缝的位置对应这些第二主狭缝的位置。
8.如权利要求7所述的液晶显示装置,其中这些第一主狭缝的宽度小 于这些第二主狭缝的宽度。
9.如权利要求6所述的液晶显示装置,其中各该第二像素电极具有呈 条状的至少一连接部,该连接部的延伸方向与这些数据线的延伸方向平行, 各该第二像素电极的该连接部与被对应包围的该第一像素电极之间间隔有 一主狭缝,该共用电极具有与这些主狭缝夹一锐角的多个细狭缝,这些细狭 缝的位置对应这些主狭缝的位置,且这些主狭缝的宽度大于这些细狭缝的宽 度。
10.如权利要求9所述的液晶显示装置,其中该锐角为45度。
11.如权利要求6所述的液晶显示装置,其中各该第二像素电极具有呈 条状的至少一连接部,该连接部的延伸方向与这些数据线的延伸方向平行, 各该第二像素电极的该连接部与被对应包围的该第一像素电极之间间隔有 第一主狭缝,该共用电极具有平行于这些第一主狭缝的多个第二主狭缝与多 个第三主狭缝,各该第二主狭缝与对应的该第三主狭缝相邻,且相邻的该第 二主狭缝与该第三主狭缝的位置对应这些第一主狭缝其中之一的位置。
12.如权利要求11所述的液晶显示装置,其中各该第二主狭缝的位置 对应这些第一主狭缝其中之一的边缘的位置,这些边缘邻近这些第一像素电 极。
13.如权利要求6所述的液晶显示装置,其中各该第一像素电极与对应 的其中一该第二像素电极之间隔有多个第一配向主狭缝,这些第一配向主狭 缝的延伸方向相交于这些扫描线的延伸方向及这些数据线的延伸方向。
14.如权利要求13所述的液晶显示装置,其中该共用电极具有多个平 行于这些第一配向主狭缝的第二配向主狭缝。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的