[发明专利]微开关器件及其制造方法有效

专利信息
申请号: 200810001293.X 申请日: 2008-01-17
公开(公告)号: CN101226856A 公开(公告)日: 2008-07-23
发明(设计)人: 阮俊英;中谷忠司;上田知史;米泽游;三岛直之 申请(专利权)人: 富士通株式会社
主分类号: H01H59/00 分类号: H01H59/00;H01H49/00;B81B7/02;B81C1/00
代理公司: 隆天国际知识产权代理有限公司 代理人: 张龙哺
地址: 日本神奈*** 国省代码: 日本;JP
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摘要:
搜索关键词: 开关 器件 及其 制造 方法
【说明书】:

技术领域

本发明涉及一种通过MEMS技术制造的微开关器件。

背景技术

在无线通信设备(例如移动电话)技术领域中,为了获得更高的性能,需要整合在设备中的部件越来越多,因此对尺寸更小的射频(RF)电路的需求不断增长。为了满足这种需求,采用称作微机电系统(以下称作MEMS)的技术来减小构成电路的各种部件的尺寸。

这些部件中的一种为MEMS开关。MEMS开关是一种开关器件,包括基于MEMS技术以减小的尺寸制造的部件,例如包括:触点对,机械地断开和闭合,以进行开关操作;以及驱动机构,驱动触点对进行机械开关操作,仅举出几个例子。与包括PIN二极管或者MESFET的开关器件相比,MEMS开关通常在断开状态下实现更好的隔离,而在闭合状态下实现更低的插入损耗,特别是在对GHz量级的高频信号进行开关操作时。这是因为断开状态是通过触点之间的机械断开动作来实现,而且机械开关产生的寄生电容更小。在专利文献例如JP-A-2004-1186、JP-A-2004-311394、JP-A-2005-293918和JP-A-2005-528751中公开了MEMS开关。

图25至图29示出微开关器件X4作为传统微开关器件的实例。图25是微开关器件X4的平面图,图26是微开关器件X4的部分平面图。图27至图29分别是沿着图25中的线XXVII-XXVII、XXVIII-XXVIII以及XXIX-XXIX的剖视图。

微开关器件X4包括基部衬底S4、固定部41、可移动部42、接触电极43、接触电极对44A、44B(在图26中用点划线表示)、驱动电极45以及驱动电极46(在图26中用点划线表示)。

如图27至图29所示,固定部41经由间隔层(partition layer)47接合到基部衬底S4。固定部41和基部衬底S4由单晶硅形成,而间隔层47由二氧化硅形成。

如图26和图29所示,可移动部42包括固接端42a和自由端42b,固接端42a固定于固定部41,并且可移动部42设置为从固接端42a起沿着基部衬底S4延伸,且被缝48围绕。可移动部42由单晶硅形成。

如图26所示,接触电极43靠近可移动部42的自由端42b。如图27和图29所示,接触电极44A、44B都形成为部分地竖立在固定部41上,并且包括与接触电极43相对的部分。经由内部连线(未示出),接触电极44A、44B连接到要开关的预定电路。接触电极43、44A、44B由适当的导电材料形成。

如图26所示,驱动电极45设置为在可移动部42以及固定部41的一部分上延伸。如图28所示,驱动电极46包括接合到固定部41的两个立柱(upright post)以及连接两个立柱的水平部分,从而跨设在驱动电极45上。此外,驱动电极46通过导体接地(未示出)。驱动电极45、46由适当的导电材料形成。

在这样构造的微开关器件X4中,当向驱动电极45施加电势时,则在驱动电极45、46之间产生静电引力。当施加的电势足够高时,则沿着基部衬底S4延伸的可移动部42发生弹性变形,直到接触电极43与接触电极44A、44B相接触。这就是微开关器件X4进入闭合状态的方式。在闭合状态下,接触电极43充当接触电极对44A、44B之间的电桥,由此允许电流在接触电极44A、44B之间流过。这样就可以实现例如高频信号的接通(on)状态。

另一方面,当微开关器件X4处于闭合状态时,如果切断给驱动电极45的电势,就会消除驱动电极45、46之间的静电引力作用,导致可移动部42恢复其自然状态,从而使接触电极43与接触电极44A、44B分离。这就是微开关器件X4进入断开状态的方式,如图27和图29所示。在断开状态下,接触电极对44A、44B电隔离,从而阻止电流在接触电极44A、44B之间流过。这样就可以实现例如高频信号的关断(off)状态。

微开关器件X4的缺点是接触电极43在朝着接触电极44A、44B的方向上有较大的波动。

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