[发明专利]固态成像装置及其制造方法以及成像设备有效
| 申请号: | 200780052901.3 | 申请日: | 2007-08-20 |
| 公开(公告)号: | CN101669205A | 公开(公告)日: | 2010-03-10 |
| 发明(设计)人: | 山口哲司;大岸裕子;安藤崇志;池田晴美 | 申请(专利权)人: | 索尼株式会社 |
| 主分类号: | H01L27/148 | 分类号: | H01L27/148;H01L31/10 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 固态 成像 装置 及其 制造 方法 以及 设备 | ||
1.一种固态成像装置,其特征在于:
所述固态成像装置包括对入射光进行光电转换的光接收部分和在所述 光接收部分旁边的部分中的周边电路部分,在所述周边电路部分中设置有周 边电路,所述固态成像装置包括:
设置在所述光接收部分的光接收表面上且降低界面态的膜;以及
设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜,
其中空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面侧,并且
其中绝缘膜或者具有固定正电荷的膜设置在所述周边电路部分的表面 与具有固定负电荷的所述膜之间,使得所述具有固定负电荷的膜距所述周边 电路部分的表面的距离大于所述具有固定负电荷的膜距所述光接收部分的 表面的距离。
2.根据权利要求1所述的固态成像装置,其特征在于:
所述具有固定负电荷的膜为氧化铪膜、氧化铝膜、氧化锆膜、氧化钽膜 或氧化钛膜。
3.根据权利要求1所述的固态成像装置,其特征在于:
所述降低界面态的膜由氧化硅膜形成。
4.根据权利要求1所述的固态成像装置,其中在所述周边电路部分上面 且在所述具有固定负电荷的膜下面的绝缘膜由氧化硅膜、氮化硅膜和氮氧化 硅膜中的一种膜或多种膜的层叠结构形成。
5.根据权利要求1所述的固态成像装置,其特征在于:
所述固态成像装置为背侧照射型固态成像装置,包括多个像素部分和配 线层,所述多个像素部分具有将入射光的量转换成电信号的光接收部分,所 述配线层在半导体基板提供有所述像素部分的一个表面侧,其中从提供有该 配线层的表面的相反侧入射的光用该光接收部分接收。
6.一种制造固态成像装置的方法,其特征在于:所述固态成像装置具有 对入射光进行光电转换且设置在半导体基板上的光接收部分和在所述光接 收部分旁边的部分中的周边电路部分,在所述周边电路部分中设置有周边电 路,所述制造固态成像装置的方法包括步骤:
在提供有所述光接收部分的所述半导体基板上形成降低界面态的膜;以 及
在所述降低界面态的膜上形成具有固定负电荷的膜,
其中空穴积聚层通过具有固定负电荷的膜中的固定负电荷导致的电场 充分地形成在光接收部分的光接收表面侧,并且
其中绝缘膜或者具有固定正电荷的膜设置在所述周边电路部分的表面 与具有固定负电荷的所述膜之间,使得所述具有固定负电荷的膜距所述周边 电路部分的表面的距离大于所述具有固定负电荷的膜距所述光接收部分的 表面的距离。
7.一种成像设备,其特征在于包括:
聚光光学部分,会聚入射光;
固态成像装置,接收在所述聚光光学部分中会聚的所述入射光并对所述 入射光进行光电转换;以及
信号处理部分,处理光电转换的信号电荷,
其中所述固态成像装置包括:
设置在对所述入射光进行光电转换的所述固态成像装置的光接收部分 的光接收表面上且降低界面态的膜;
设置在所述降低界面态的膜上且具有固定负电荷的膜;以及
空穴积聚层设置在所述光接收部分的光接收表面上,
其中所述固态成像装置还包括在所述光接收部分旁边的部分中的周边 电路部分,在所述周边电路部分中设置有周边电路,并且
其中绝缘膜或者具有固定正电荷的膜设置在所述周边电路部分的表面 与具有固定负电荷的所述膜之间,使得所述具有固定负电荷的膜距所述周边 电路部分的表面的距离大于所述具有固定负电荷的膜距所述光接收部分的 表面的距离。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于索尼株式会社,未经索尼株式会社许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200780052901.3/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的





