[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质

权利要求书

1.一种基板处理方法，其特征在于，包括：

第一工序，将具有表面被氧化而形成有金属氧化膜的金属层的被 处理基板设定为第一温度，使含有有机化合物的处理气体吸附在所述 金属层上形成金属络合物；和

第二工序，停止所述处理气体的供给，其后将所述被处理基板加 热至比所述第一温度高的第二温度，使所述金属络合物升华，

其中，选择所述第一温度，使得在所述第一工序中，使所述金属 络合物的蒸气压力比保持所述被处理基板的处理空间的压力低，

通过实施所述第一工序和所述第二工序，除去形成于所述金属层 的表面的氧化膜。

2.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

所述有机化合物选自羧酸、羧酸酐、酯、醇、醛以及酮。

3.如权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于：

反复实施所述第一工序和所述第二工序。

4.一种半导体装置的制造方法，其特征在于：

该半导体装置的制造方法是包括金属配线和层间绝缘膜的半导体 装置的制造方法，包括：

第一工序，将具有表面被氧化而形成有金属氧化膜的所述金属配 线的被处理基板设定为第一温度，使含有有机化合物的处理气体吸附 在所述金属配线上形成金属络合物；和

第二工序，停止所述处理气体的供给，其后将所述被处理基板加 热至比所述第一温度高的第二温度，使所述金属络合物升华，

其中，选择所述第一温度，使得在所述第一工序中，使所述金属 络合物的蒸气压力比保持所述被处理基板的处理空间的压力低，

通过实施所述第一工序和所述第二工序，除去形成在所述金属配 线的表面的氧化膜。

5.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

所述有机化合物选自羧酸、羧酸酐、酯、醇、醛以及酮。

6.如权利要求4所述的半导体装置的制造方法，其特征在于：

反复实施所述第一工序和所述第二工序。

7.一种金属附着物的除去方法，其特征在于，包括：

基板处理工序和除去工序，其中，

所述基板处理工序具有：在处理容器内部的处理空间中将具有表 面被氧化而形成有金属氧化膜的金属层的被处理基板设定为第一温 度，使含有有机化合物的处理气体吸附在所述金属层上形成金属络合 物的第一工序、以及停止所述处理气体的供给，其后在所述处理空间 中将所述被处理基板加热至比所述第一温度高的第二温度，使所述金 属络合物升华的第二工序，其中，选择所述第一温度，使得在所述第 一工序中，使所述金属络合物的蒸气压力比保持所述被处理基板的处 理空间的压力低，

通过实施所述第一工序和所述第二工序，除去形成于所述金属层 的表面的氧化膜，

所述除去工序通过所述第二工序将附着在所述处理容器的内部的 金属附着物除去，

在所述除去工序中，控制所述处理容器内部的温度和所述处理空 间的压力，以使附着在所述处理容器的内部的所述金属附着物升华。