[发明专利]用于光致抗蚀剂组合物的碱溶性聚合物

权利要求书

1.包含至少一个磺酰基的碱溶性聚合物，其中在相对于该磺酰基 的α-位和/或β-位和/或γ-位的至少一个碳原子具有羟基，其中该羟 基是受保护或未受保护的。

2.权利要求1的碱溶性聚合物，其中该磺酰基在该聚合物的主链 中或其中该磺酰基侧挂在该聚合物上。

3.权利要求1或2中任一项的碱溶性聚合物，其中该羟基的pKa 小于14。

4.权利要求1-3中任一项的碱溶性聚合物，其中在相对于该磺酰 基的α-位的碳原子具有羟基，其中该羟基是受保护或未受保护的；或 其中在相对于该磺酰基的β-位的碳原子具有羟基，其中该羟基是受保 护或未受保护的；或其中在相对于该磺酰基的γ-位的碳原子具有羟 基，其中该羟基是受保护或未受保护的；或其中上述碳原子中的两个 各自具有羟基，其中该羟基是受保护或未受保护的。

5.权利要求1-3中任一项的碱溶性聚合物，其中在相对于该磺酰 基的α-或β-或γ-位的两个碳原子具有羟基，其中该羟基是受保护或 未受保护的。

6.权利要求1-5中任一项的碱溶性聚合物，还包含芳族乙烯基、 乙烯基醚、丙烯酸酯、甲基丙烯酸酯或烯烃单体。

7.光致抗蚀剂组合物，包含：

(a)权利要求1-6中任一项的聚合物；和

(b)溶剂和/或至少一种交联剂，

并且其任选地还包含光酸产生剂。

8.光致抗蚀剂组合物的成像方法，包括以下步骤：

a)用权利要求7的光致抗蚀剂组合物的薄膜涂覆基材；

b)烘焙该基材以基本上除去溶剂；

c)成像式辐射该光致抗蚀剂薄膜；

d)烘焙该光致抗蚀剂薄膜；和

e)使用碱性显影剂将该受辐射的光致抗蚀剂薄膜显影，和

任选地还包括在涂覆该光致抗蚀剂之前在该基材上涂覆抗反射薄 膜。

9.权利要求8的方法，其中使用浸没式光刻技术成像式辐射该光 致抗蚀剂薄膜。

10.在基材上形成图像的方法，包括：

a)用权利要求7的包含至少一种交联剂的组合物涂覆该基材；

b)加热步骤a)的涂层；

c)在步骤b)的涂层上由光致抗蚀剂溶液形成涂层；

d)加热该光致抗蚀剂涂层以从该涂层中基本上除去溶剂；

e)将该光致抗蚀剂涂层成像式曝光；

f)使用碱性显影剂水溶液将图像显影；

g)任选地，在显影之前和之后加热该基材；和

h)干蚀刻步骤b)的组合物。