[发明专利]基座和包括所述基座的半导体制造装置

权利要求书

1.一种设置在反应室中的基座，其中所述基座包括至少一个凹穴，所述凹穴的底表面是倾斜的，其中至少一个凹穴的底表面从所述凹穴的内部点向所述凹穴的外部点倾斜，或者从所述凹穴的外部点向所述凹穴的内部点倾斜。

2.如权利要求1所述的基座，其中所述凹穴的数量为1至50。

3.如权利要求1所述的基座，其中在从所述基座的中心至所述基座外侧的至少一排中形成有多个凹穴。

4.如权利要求1所述的基座，其中所述凹穴的底表面相对于所述基座的顶表面以0°＜θ≤10°范围内的角度倾斜。

5.如权利要求1所述的基座，其中所述凹穴的底表面的倾角彼此相等或彼此不同。

6.如权利要求1所述的基座，其中所述基座包括：至少一个第一凹穴，其外部点具有最大深度；和/或至少一个第二凹穴，其内部点具有最大深度。

7.如权利要求1所述的基座，其中所述凹穴的底表面相对于所述基座顶表面的深度不小于晶片的厚度并且不大于10mm。

8.如权利要求1所述的基座，其中所述基座或所述凹穴由碳或氮化铝形成，或者由碳或氮化铝涂布。

9.如权利要求8所述的基座，其中所述碳或氮化铝的沉积厚度介于至之间。

10.一种其上装载有晶片的基座，其中在所述基座中形成有多个凹穴，并且至少其中一个所述凹穴具有倾斜的底表面，其中至少一个凹穴的底表面从所述凹穴的内部点向所述凹穴的外部点倾斜，或者从所述凹穴的外部点向所述凹穴的内部点倾斜。

11.如权利要求10所述的基座，其中所述基座还包括具有水平底表面的凹穴。

12.如权利要求10所述的基座，其中所述凹穴的底表面相对于所述基座的顶表面以0°＜θ≤10°的范围内的角度倾斜。

13.一种半导体制造装置，包括：

反应室；

加热单元，其在所述反应室中产生热量；

基座，其上装载有晶片，并且所述基座包括底表面倾斜的至少一个凹穴，其中至少一个凹穴的底表面从所述凹穴的内部点向所述凹穴的外部点倾斜，或者从所述凹穴的外部点向所述凹穴的内部点倾斜；以及

旋转轴，其与所述基座耦联。

14.如权利要求13所述的半导体制造装置，其中所述凹穴的底表面相对于所述基座的顶表面的倾角在0°＜θ≤10°的范围内。

15.如权利要求13所述的半导体制造装置，其中所述倾斜的凹穴的底表面自所述基座的顶表面的深度不小于晶片的厚度并且不大于10mm。

16.如权利要求13所述的半导体制造装置，其中所述倾斜的凹穴的底表面的倾角彼此相等或彼此不同。

17.如权利要求13所述的半导体制造装置，其中所述反应室包括有机金属化学汽相沉积(MOCVD)装置、分子束外延(MBE)装置、以及化学汽相沉积(CVD)装置之一。