[发明专利]面板结构及其制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种面板结构及其制造方法，且特别涉及一种具有控制电路及显示电路于基板上的面板结构及其制造方法。

背景技术

随着科技发展，同时具有控制电路及显示电路于基板上的显示面板逐渐受到青睐。显示电路及控制电路各由多个薄膜晶体管(thin film transistor，以下简称TFT)驱动。显示电路及控制电路的薄膜晶体管通常采用同一种半导体材料，例如是非晶硅(amorphous silicon，a-Si)材料或低温多晶硅材料(lowtemperature poly-silicon，LTPS)。

多晶硅材料的TFT的漏电流(leakage current)大于非晶硅材料的TFT的漏电流。当显示电路采用多晶硅材料的TFT时，显示电路则必须增加存储电容的面积，以改善漏电流较大的情况。然而，增加存储电容的面积会降低开口率(aperture ratio)，使得显示面板的光利用率下降。

此外，多晶硅工艺的工艺稳定性较差，且工艺设备的成本亦较高。再者，多晶硅材料的TFT利用准分子激光(excimer laser)技术，以使非晶硅材料转变为多晶硅材料。然而，此过程往往会使得多晶硅材料的TFT的均匀度较差，而降低显示面板的显示品质。

至于非晶硅材料的TFT的电子迁移率(mobility)约为0.5～1cm²/Vs。因此，当控制电路采用非晶硅材料的TFT时，控制电路的尺寸需对应地增加，以得到所需的电流量。然而，当控制电路所占的面积增加时，控制电路在基板上会占较多的空间，而影响其他电子元件的设置。

发明内容

本发明涉及一种面板结构及其制造方法，其利用氧化锌(ZnO)作为控制电路及显示电路的至少一者的晶体管的材料，以使晶体管具有高电子迁移率，且此晶体管的工艺与非晶硅材料的晶体管的工艺相容。

根据本发明，提出一种面板结构。面板结构设置在一显示装置中。面板结构包括基板、多个第一晶体管及多个第二晶体管。基板具有显示电路及控制电路。这些第一晶体管设置于基板的显示电路。第一晶体管各具有第一有源层。这些第二晶体管设置于基板的控制电路。第二晶体管各具有第二有源层。第一有源层及第二有源层的至少一者的材料包括氧化锌(ZnO)。

根据本发明，再提出一种面板结构的制造方法。此制造方法的步骤包括：首先，提供一基板。最后，形成多个第一晶体管于基板，以构成显示电路，及形成多个第二晶体管于基板，以构成控制电路。第一晶体管各具有第一有源层。第二晶体管各具有第二有源层。第一有源层及第二有源层的至少一者的材料包括氧化锌。

为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合所附图示，作详细说明如下。

附图说明

图1绘示依照本发明第一实施例的面板结构的示意图。

图2A绘示图1中的面板结构的剖视图。

图2B绘示第一实施例的另一种面板结构的剖视图。

图3绘示根据本发明的面板结构的制造方法的流程图。

图4绘示第一实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的流程图。

图5A～图5I绘示根据图4中形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的流程示意图。

图6绘示第一实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的另一种流程图。

图7A绘示依照本发明第二实施例的面板结构的剖视图。

图7B绘示第二实施例的另一种面板结构的剖视图。

图8绘示第二实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的流程图。

图9绘示第二实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的另一种流程图。

图10A绘示依照本发明第三实施例的面板结构的剖视图。

图10B绘示第三实施例的另一种面板结构的剖视图。

图11绘示第三实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的流程图。

图12绘示第三实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的另一种流程图

图13A绘示依照本发明第四实施例的面板结构的剖视图。

图13B绘示第四实施例的另一种面板结构的剖视图。

图14绘示第四实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的流程图。

图15绘示第四实施例的形成第一晶体管及第二晶体管的步骤的另一种流程图。

附图标记说明

100、100’、200、200’、300、300’、400、400’：面板结构

101、301、401：基板

102：显示电路

104：信号控制电路