[发明专利]面板结构及其制造方法无效
申请号: | 200710305428.7 | 申请日: | 2007-12-28 |
公开(公告)号: | CN101471348A | 公开(公告)日: | 2009-07-01 |
发明(设计)人: | 王文俊;康恒达;朱健慈 | 申请(专利权)人: | 胜华科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/786;H01L29/22;H01L21/84;H01L21/336 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面板 结构 及其 制造 方法 | ||
1.一种面板结构,设置在一显示装置中,该面板结构包括:
基板,具有显示电路及控制电路;
绝缘层,设置于该基板之上;
多个第一晶体管,设置于该基板的该显示电路,各这些第一晶体管具有第一有源层;以及
多个第二晶体管,设置于该基板的该控制电路,各这些第二晶体管具有第二有源层,该第一有源层及该第二有源层的至少一者的材料包括氧化锌,
其中各这些第一晶体管具有第一栅极及第一岛状结构,该第一栅极对应于该第一岛状结构,该第一栅极设置于该基板及该绝缘层之间,该第一岛状结构设置于该绝缘层上,且
其中该第一岛状结构具有第一电极层、第一开口、第一欧姆接触层及该第一有源层,该第一有源层及该第一欧姆接触层依序设置于该绝缘层上,部分的该第一电极层设置于该第一欧姆接触层上,部分的该第一电极层设置于该绝缘层上,该第一开口穿透该第一电极层及该第一欧姆接触层,并暴露出该第一有源层。
2.如权利要求1所述的面板结构,其中该控制电路包括信号控制电路及扫描控制电路,该面板结构还包括:
多个第三晶体管,设置于该基板的该控制电路,各这些第三晶体管具有第三有源层;
其中,这些第二晶体管及这些第三晶体管的其中一群设置于该信号控制电路,这些第二晶体管及这些第三晶体管的另一群设置于该扫描控制电路。
3.如权利要求2所述的面板结构,其中这些第二晶体管及这些第三晶体管的结构相同。
4.如权利要求2所述的面板结构,其中该第一有源层的材料包括氧化锌,该第二有源层及该第三有源层的材料同为氧化锌或非晶硅。
5.如权利要求2所述的面板结构,其中该第二有源层的材料包括氧化锌,该第一有源层及该第三有源层的材料同为氧化锌或非晶硅。
6.如权利要求1所述的面板结构,其中各这些第二晶体管具有第二栅极及第二岛状结构,该第二岛状结构对应于该第二栅极,该第二岛状结构具有第二电极层、第二开口及该第二有源层,该第二开口穿透该第二电极层,该第二有源层对应该第二电极层设置。
7.如权利要求6所述的面板结构,其中该第二栅极设置于该基板及该绝缘层之间,该第二岛状结构设置于该绝缘层上。
8.如权利要求7所述的面板结构,其中该第二电极层设置于该绝缘层上,该第二开口穿透该第二电极层,并暴露出该绝缘层,该第二有源层覆盖该第二开口。
9.如权利要求8所述的面板结构,其中各这些第二晶体管还具有第二欧姆接触层,该第二欧姆接触层设置于该第二电极层上,且该第二开口亦穿透该第二欧姆接触层。
10.如权利要求7所述的面板结构,其中该第二有源层设置于该绝缘层上,该第二电极层设置于该第二有源层的上方,该第二开口穿透该第二电极层,并暴露出该第二有源层。
11.如权利要求10所述的面板结构,其中各这些第二晶体管还具有第二欧姆接触层,该第二欧姆接触层设置于该第二有源层及该第二电极层之间,该第二开口亦穿透该第二欧姆接触层。
12.如权利要求6所述的面板结构,其中该第二栅极设置于该绝缘层上,该第二岛状结构设置于该绝缘层及该基板之间。
13.如权利要求12所述的面板结构,其中该第二电极层设置于该基板上,该第二开口穿透该第二电极层,并暴露出该基板,该第二有源层覆盖该第二开口。
14.如权利要求13所述的面板结构,其中各这些第二晶体管还具有第二欧姆接触层,各这些第一晶体管还具有金属氧化层,该第二欧姆接触层设置于该第二电极层上,该金属氧化层设置于该第一栅极上,且该第二开口亦穿透该第二欧姆接触层。
15.如权利要求12所述的面板结构,其中该第二有源层设置于该基板上,部分的该第二电极层设置于该第二有源层的上方,部分的该第二电极层设置于该基板上,该第二开口穿透该第二电极层,以暴露出该第二有源层。
16.如权利要求15所述的面板结构,其中各这些第二晶体管还具有第二欧姆接触层,各这些第一晶体管还具有金属氧化层,该第二欧姆接触层设置于该第二有源层与该第二电极层及该基板之间,该金属氧化层设置于该第一栅极与该基板之间,该第二开口亦穿透该第二欧姆接触层。
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