[发明专利]CMOS图像传感器及其制备方法

权利要求书

1.一种装置，包括：

至少由在半导体衬底之上形成的光电二极管区和器件隔离区确定的外延层；

在器件隔离区中形成的器件隔离膜；

在外延层之上形成的栅极电极；以及

重叠光电二极管区的一部分和栅极电极的一部分的接触插塞。

2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括在光电二极管区中形成的n-型扩散区。

3.根据权利要求2所述的装置，其特征在于，还包括靠着栅极电极至少一个侧壁形成的栅极间隔垫。

4.根据权利要求3所述的装置，其特征在于，还包括在外延层之上形成的绝缘膜。

5.根据权利要求4所述的装置，其特征在于，所述绝缘膜包括第一绝缘膜部分和接触栅极电极的第二绝缘膜。

6.根据权利要求5所述的装置，其特征在于，第一绝缘膜部分具有的厚度大于第二绝缘膜的厚度。

7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，还包括在包括栅极电极、栅极间隔垫和绝缘膜的外延层之上形成的层间绝缘膜。

8.根据权利要求7所述的装置，其特征在于，还包括通过层间绝缘膜延伸且暴露第二绝缘膜部分的最上表面和栅极电极的一部分的接触孔。

9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，在接触孔中形成接触插塞。

10.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括插入到栅极电极和外延层之间的栅极绝缘膜。

11.一种装置，包括：

至少由在半导体衬底之上形成的光电二极管区和器件隔离区确定的外延层；

在器件隔离区中形成的器件隔离膜；

在外延层的光电二极管区中形成的n-型扩散区；以及

在外延层之上形成的且部分重叠n-型扩散区的栅极电极。

12.根据权利要求11所述的装置，其特征在于，还包括：

在栅极电极的一部分之下形成的栅极绝缘膜；以及

在包括栅极绝缘膜的外延层最上表面之上形成栅极氧化物膜。

13.一种方法，包括：

在半导体衬底之上形成至少由光电二极管区和器件隔离区确定的外延层；

在器件隔离区中形成器件隔离膜；

在外延层之上形成栅极电极；以及

形成重叠光电二极管区的一部分和栅极电极的一部分的接触插塞。

14.根据权利要求13所述的方法，其特征在于，还包括在光电二极管区中形成n-型扩散区。

15.根据权利要求14所述的方法，其特征在于，还包括靠着栅极电极至少一个侧壁形成栅极间隔垫。

16.根据权利要求15所述的方法，其特征在于，还包括在外延层之上形成绝缘膜。

17.根据权利要求16所述的方法，其特征在于，绝缘膜包括第一绝缘膜部分和接触栅极电极的第二绝缘膜。

18.根据权利要求17所述的方法，其特征在于，第一绝缘膜部分具有的厚度大于第二绝缘膜的厚度。

19.根据权利要求18所述的方法，其特征在于，还包括在包括栅极电极、栅极间隔垫和绝缘膜的外延层之上形成层间绝缘膜。

20.根据权利要求19所述的方法，其特征在于，还包括：

形成通过层间绝缘膜延伸且暴露第二绝缘膜部分的最上表面和栅极电极的一部分的接触孔，其中在接触孔中形成接触插塞。