[发明专利]基片损伤防止系统和方法无效
申请号: | 200710181227.0 | 申请日: | 2007-10-25 |
公开(公告)号: | CN101202212A | 公开(公告)日: | 2008-06-18 |
发明(设计)人: | 黄荣周 | 申请(专利权)人: | 爱德牌工程有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/20;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡洪贵 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 损伤 防止 系统 方法 | ||
技术领域
本发明涉及基片损伤防止系统和方法,并且更具体地涉及用于等离子体处理装置中的基片损伤防止系统和方法。
背景技术
平板显示元件可包括例如液晶显示(LCD)元件、等离子体显示面板(PDP)元件、有机场致发光(EL)显示元件等等。用来形成这些种类平板显示元件的基片的表面处理可在真空处理装置中进行,包括负载锁闭室、传递室和处理室。
负载锁闭室可交替地维持大气状况和真空状况,并且可暂时存储处理过的和未处理的基片。传递室可包括在室之间传递基片的传递机器人。因而,传递机器人可将待处理的基片从装载锁闭室传递至处理室。处理室在基片上形成膜或者在其中真空之下利用等离子体或热能蚀刻基片上的膜。应当控制室中的物理和环境条件以确保基片正确的表面处理,以及防止基片在处理之前、期间和之后受到损伤。
发明内容
本发明用于解决现有技术中的上述缺陷。
为此,本发明提供一种基片处理设备,包括:定位在室中的电极,所述电极被构造成在其上接收基片以进行处理;惰性气体供应单元,其被构造成选择性地将惰性气体供应至电极上表面;和空气供应单元,其被构造成选择性地将空气供应至电极上表面。
优选地,惰性气体供应单元包括进气管,该进气管构造成基于与其一起提供的至少一个阀的位置、选择性地将惰性气体供应至在电极上表面和定位在所述电极上表面上的基片的下表面之间形成的间隙。
优选地,空气供应单元构造成基于与进气管一起提供的所述至少一个阀的位置、选择性地将空气供应至在电极上表面和定位在所述电极上表面上的基片的下表面之间形成的间隙。
优选地,进气管穿过电极。
优选地,惰性气体供应单元还包括:第一阀,其构造成调节从外部惰性气体源进入惰性气体通路的惰性气体流;压力调节装置,其与惰性气体通路一起提供并且构造成从第一阀接收惰性气体并调节其压力;和第二阀,其与惰性气体通路一起提供,并且构造成从压力调节装置接收压力调节过的惰性气体,并调节从惰性气体通路进入进气管的压力调节过的惰性气体流。
优选地,空气供应单元包括空气供应控制阀,所述空气供应控制阀与空气供应通路一起提供并且构造成调节从外部空气源进入进气管的空气供应。
优选地,本发明还包括设置于惰性气体通路、空气通路和进气管的接头处的三向阀,其中该三向阀构造成选择性地向进气管供应惰性气体或空气。
优选地,第一阀是手动阀,并且第二阀是构造成响应于电子输入信号而打开和关闭的自动阀。
优选地,惰性气体供应单元包括惰性气体进气管,所述惰性气体进气管构造成基于与惰性气体进气管一起提供的阀的位置、选择性地将惰性气体供应至在电极上表面和定位在所述电极上表面上的基片的下表面之间形成的间隙,并且空气供应单元包括空气进气管,所述空气进气管构造成选择性地将空气供应至形成于电极上表面和基片下表面之间的间隙。
优选地,电极包括定位在室的下部中的下电极,其中电极包括:基层;设置于基层上的绝缘层;设置于绝缘层上的冷却层;和设置于冷却层上的下电极部分,所述下电极部分构造成在其上表面上接收基片。
优选地,冷却层包括供冷却流体流过的冷却通路,其中冷却层构造成在基片处理过程期间冷却下电极。
根据本发明的另一方面,提供一种在处理室中处理基片的方法,该方法包括:在处理室中将基片定位于下电极上;将电力供应至与下电极一起提供的静电卡紧电极;致动惰性气体供应单元并将惰性气体供应入在下电极和定位于所述下电极上的基片之间形成的间隙中;中断静电卡紧电极的电力供应;致动空气供应单元并将空气供应入在下电极和定位于所述下电极上的基片之间形成的间隙中;和将基片提起离开下电极。
优选地,供应惰性气体包括:控制第一阀以控制从外部惰性气体源进入惰性气体通路的惰性气体流;调节由第一阀引入惰性气体通路的惰性气体的压力;控制第二阀以控制惰性气体通路中压力调节过的惰性气体流;和选择性地将惰性气体从惰性气体通路供应入延伸穿过下电极的进气管。
优选地,供应空气包括:控制空气供应阀以控制从外部空气源进入空气通路的空气流;和选择性地将空气从空气通路供应入进气管。
优选地,选择性地将惰性气体供应入进气管和选择性地将空气供应入进气管包括基于定位在惰性气体通路、空气通路和进气管的接头处的三向阀的位置选择性地将惰性气体从惰性气体通路或将空气从空气通路供应入进气管。
优选地,控制第二阀包括当电力供应至静电卡紧电极时自动地打开第二阀,以及当供应至静电卡紧电极的电力中断时自动地关闭第二阀。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造