[发明专利]半导体发光元件

权利要求书

1.一种半导体发光元件，具有包括挟持在第一、第二包覆层之间的产生光的活性层和在第一包覆层侧的主面形成的光取出层的多个半导体层；还具有部分覆盖所述光取出层的第一电极、覆盖所述主面的相反面的第二电极、在第二包覆层和第二电极之间反射光线的反射金属膜层、与所述反射金属膜层的活性层侧相连的氧化物层、在所述氧化物层中部分形成的欧姆接触接合部；其特征在于：所述光取出层由组成比不同的多个层构成，仅在这些多个层的最外侧的层上，形成用于使所述主面粗糙的凹凸。

2.如权利要求1所述的半导体发光元件，其特征在于，构成所述光取出层的多个层中的最外侧层的材料与次外侧层的材料相比，Al组成比较大。

3.如权利要求1或2所述的半导体发光元件，其特征在于，构成所述光取出层的多个层中的最外侧层与次外侧层相比，带隙能量较大。

4.如权利要求1～3中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，构成所述光取出层的多个层的材料分别由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中，0.3≤X≤1，0.4≤Y≤0.6。

5.如权利要求1～4中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述光取出层与第一包覆层的层厚之和为1000～3000nm。

6.如权利要求1～5中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，构成所述光取出层的多个层中的最外侧层与次外侧层相比，折射率较小。

7.如权利要求1～6中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述光取出层与第一电极之间，具有第一电极侧接触层，所述第一电极侧接触层覆盖与第一电极相同的部分，与所述活性层相比，带隙能量较小，且对来自所述活性层的光线不透明。

8.如权利要求7所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第一电极侧接触层的层厚为5～200nm。

9.如权利要求1～8中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，构成所述光取出层的多个层的材料与所述活性层的材料相比，Al组成比较大。

10.如权利要求1～9中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述活性层材料由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中，0≤X＜1，0.4≤Y≤0.6。

11.如权利要求1～10中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述活性层具有由10～160层的阱层构成的多量子阱结构。

12.如权利要求1～11中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述活性层和第二包覆层之间，具有第二包覆层侧无掺杂层。

13.如权利要求12所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二包覆层侧无掺杂层的材料与所述活性层的材料相比，Al组成比较大。

14.如权利要求12或13所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二包覆层侧无掺杂层的材料与所述活性层的材料相比，带隙能量较大。

15.如权利要求12～14中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，所述第二包覆层侧无掺杂层的材料由(Al_xGa_1-x)_YIn_1-YP表示，其中，0.3≤X≤1，0.4≤Y≤0.6。

16.如权利要求1～15中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，构成所述光取出层的多个层中的最外侧层的层厚为1000nm以下。

17.如权利要求1～16中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，在所述多个半导体层与第二电极之间具有支持基板，所述支持基板的材料是Si、GaAs、Ge、Cu、Mo、W、CuW的任一种。

18.如权利要求1～17中任一项所述的半导体发光元件，其特征在于，欧姆接触接合部的面积相对于所述氧化物层的总面积的比例为20％以下。