[发明专利]微器件的气密密封无效
| 申请号: | 200710170054.2 | 申请日: | 2007-11-09 |
| 公开(公告)号: | CN101188203A | 公开(公告)日: | 2008-05-28 |
| 发明(设计)人: | 潘晓和;维拉德·诺沃特尼 | 申请(专利权)人: | 视频有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/52;H01L21/56;H01L23/10;H01L23/31;B81C3/00;B81B7/02 |
| 代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 秦晨 |
| 地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 器件 气密 密封 | ||
1.用于封装微器件的方法,包括:
将微器件包封在衬底上的腔中,其中所述腔由间隔壁和包封盖限定;
去除包封盖的一部分和间隔壁的多个部分以暴露间隔壁的表面;以及
在间隔壁的暴露表面上形成密封材料的层以气密密封腔中的微器件。
2.权利要求1的方法,其中所述间隔壁的暴露表面包括相对于衬底倾斜的表面。
3.权利要求2的方法,其中所述形成步骤包括在相对于衬底倾斜的表面上淀积所述密封材料。
4.权利要求1的方法,其中所述去除步骤包括切割包封盖和间隔壁的多个部分。
5.权利要求1的方法,其中所述间隔壁包括低出气材料。
6.权利要求5的方法,其中所述间隔壁包括环氧树脂,玻璃,金属或硅。
7.权利要求1的方法,其中所述包封盖的至少一部分是对可见光,紫外光,或红外光透明的。
8.权利要求1的方法,其中所述包封盖包括不透明孔径层,该孔径层具有在微器件之上的开口。
9.权利要求1的方法,进一步包括:
在去除步骤之前形成在包封盖上的牺牲材料的层;以及
去除牺牲材料的层和在牺牲材料上的密封材料,其中形成密封材料的层包括在牺牲材料和间隔壁的暴露表面上形成密封材料的层以气密密封腔中的微器件。
10.权利要求1的方法,进一步包括:
切割衬底的一部分;以及
在衬底上将包封微器件的腔与包封相邻的微器件的相邻的腔分开。
11.权利要求10的方法,进一步包括去除间隔壁的一部分和包封盖的一部分以暴露衬底上的电接触,所述电接触被配置成向微器件发送电信号或从微器件接收电信号。
12.权利要求11的方法,其中所述去除步骤包括溶解间隔壁的一部分或接合间隔壁和衬底的粘合剂。
13.在衬底上的被包封微器件,包括:
处于腔内的在衬底上的微器件;
部分地限定所述腔的包封盖;
在衬底和包封盖之间的间隔壁,其中所述间隔壁具有相邻于微器件的内表面和相对于内表面的外表面,其中所述外表面相对于衬底倾斜;以及
在间隔壁的外表面上的密封材料,气密地密封所述腔。
14.权利要求13的被包封微器件,其中所述间隔壁包括低出气和低渗透材料。
15.权利要求14的被包封微器件,其中所述间隔壁包括环氧树脂或玻璃。
16.权利要求13的被包封微器件,其中所述包封盖对可见光、紫外光,或红外光是透明的。
17.权利要求13的被包封微器件,进一步包括在包封盖上的不透明孔径层,其中所述不透明孔径层包括在微器件之上的包封的一部分上的开口。
18.权利要求13的被包封微器件,其中所述微器件包括可倾斜反射镜。
19.权利要求13的被包封微器件,进一步包括在衬底上的电接触,所述电接触被配置成向微器件发送电信号或从微器件接收电信号。
20.权利要求19的被包封微器件,其中所述电接触和微器件被置于衬底的单一表面上。
21.权利要求19的被包封微器件,其中所述电接触被置于与微器件被放置的衬底表面相反的衬底表面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





