[发明专利]具有开关元件和两个二极管的半导体装置

权利要求书

1.一种半导体装置，其特征在于，

具有开关元件、第1二极管、第2二极管，

所述开关元件的集电极与所述第1二极管的阴极电连接，或者所述开关元件的发射极与所述第1二极管的阳极电连接，

所述开关元件的集电极与所述第2二极管的阴极电连接，并且所述开关元件的发射极与所述第2二极管的阳极电连接，

所述第1二极管与所述第2二极管形成在同一衬底上。

2.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述第1二极管在所述衬底内具有第1阳极区域与第1阴极区域，并且，所述第2二极管在所述衬底内具有第2阳极区域与第2阴极区域，并且，所述第1以及第2阴极区域由一个杂质区域形成。

3.如权利要求2的半导体装置，其特征在于，

所述第1以及第2阳极区域彼此分离，并且，都形成在所述衬底的一个主面的所述一个杂质区域内。

4.如权利要求3的半导体装置，其特征在于，

所述第1阳极区域与所述第2阳极区域仅隔开所述一个杂质区域而邻接。

5.如权利要求3的半导体装置，其特征在于，

还具有其他杂质区域，形成在所述第1阳极区域与所述第2阳极区域之间的所述一个杂质区域内，并且，具有与所述一个杂质区域不同的导电类型。

6.如权利要求3的半导体装置，其特征在于，

还具有绝缘层，形成在所述第1阳极区域与所述第2阳极区域之间的所述一个杂质区域内。

7.如权利要求2的半导体装置，其特征在于，

所述第2阳极区域形成在所述衬底的一个主面上，并且，所述第1阳极区域形成在所述衬底的另一主面上。

8.如权利要求7的半导体装置，其特征在于，

还具有：阴极电极，以与所述一个杂质区域接触的方式形成在所述衬底的一个主面上；第1阳极电极，以与所述第1阳极区域接触的方式形成在所述衬底的另一主面上；第2阳极电极，以与所述第2阳极区域接触的方式形成在所述衬底的一个主面上，

从所述第1阳极电极朝向所述阴极电极的电流路径、和从所述第2阳极区域朝向所述阴极电极的电流路径被电分离。

9.如权利要求1的半导体装置，其特征在于，

所述第1二极管在所述衬底内具有第1阳极区域和第1阴极区域，并且，所述第2二极管在所述衬底内具有第2阳极区域和第2阴极区域，并且，由一个杂质区域形成所述第1以及第2阳极区域。

10.如权利要求9的半导体装置，其特征在于，

所述第1以及第2阴极区域彼此分离，并且，都形成在所述衬底的一个主面的所述一个杂质区域内。

11.如权利要求10的半导体装置，其特征在于，

所述第1阴极区域与所述第2阴极区域仅隔开所述一个杂质区域而邻接。

12.如权利要求10的半导体装置，其特征在于，

还具有其他杂质区域，形成在所述第1阴极区域与所述第2阴极区域之间的所述一个杂质区域内，并且，具有与所述一个杂质区域不同的导电类型。

13.如权利要求10的半导体装置，其特征在于，

还具有绝缘层，形成在所述第1阴极区域与所述第2阴极区域之间的所述一个杂质区域内。

14.如权利要求9的半导体装置，其特征在于，

所述第2阴极区域形成在所述衬底的一个主面上，并且，所述第1阴极区域形成在所述衬底的另一主面上。

15.如权利要求14的半导体装置，其特征在于，

还具有：阳极电极，以与所述一个杂质区域接触的方式形成在所述衬底的一个主面上；第1阴极电极，以与所述第1阴极区域接触的方式形成在所述衬底的另一主面上；第2阴极电极，以与所述第2阴极区域接触的方式形成在所述衬底的一个主面上，

从所述阳极电极朝向所述第1阴极电极的电流路径、和从所述阳极电极朝向所述第2阴极电极的电流路径被电分离。