[发明专利]有机半导体元件及其制造方法、有机晶体管阵列及显示器

权利要求书

1.一种有机半导体元件，其特征在于，

具有有机半导体晶体管，该有机半导体晶体管包括：

基板和形成在基板上的栅极；

形成在该栅极上的栅极绝缘层；

形成在该栅极绝缘层上的作为多孔质体的源极和漏极；

仅形成在该源极和漏极之间的由有机半导体材料构成的有机半导体层。

2.一种有机半导体元件，其特征在于，

具有有机半导体晶体管，该有机半导体晶体管包括：

基板和形成在基板上的作为多孔质体的源极和漏极；

仅形成在该源极和漏极之间的由有机半导体材料构成的有机半导体层；

形成在该有机半导体层上的栅极绝缘层；

形成在该栅极绝缘层上的栅极。

3.如权利要求1或2所述的有机半导体元件，其特征在于，

所述源极和漏极所具有的多孔中含有有机半导体材料。

4.如权利要求1～3任一项所述的有机半导体元件，其特征在于，

所述有机半导体层用所述源极和漏极作为隔离壁而利用添加法形成。

5.如权利要求4所述的有机半导体元件，其特征在于，

所述添加法是喷射法。

6.如权利要求1所述的有机半导体元件，其特征在于，

所述有机半导体层用所述源极和漏极作为隔离壁而利用添加法形成，并且，所述栅极绝缘层的表面相对于所述添加法所采用的有机半导体层形成用涂工液具有疏液性。

7.如权利要求2所述的有机半导体元件，其特征在于，

所述有机半导体层用所述源极和漏极作为隔离壁而利用添加法形成，并且，所述基板的表面相对于所述添加法所采用的有机半导体层形成用涂工液具有疏液性。

8.如权利要求6或7所述的有机半导体元件，其特征在于，

所述疏液性设定为相对于所述有机半导体层形成用涂工液的接触角为40°以上的程度。

9.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：

利用基板而在该基板上形成栅极的栅极形成工序；

在所述栅极上形成栅极绝缘层的栅极绝缘层形成工序；

在所述栅极绝缘层上形成作为多孔质体的源极和漏极的源极漏极形成工序；

仅在所述源极和漏极之间形成由有机半导体材料构成的有机半导体层的有机半导体层形成工序。

10.一种有机半导体元件的制造方法，其特征在于，具有：

利用基板而在该基板上形成作为多孔质体的源极和漏极的源极漏极形成工序；

仅在所述源极和漏极之间形成由有机半导体材料构成的有机半导体层的有机半导体层形成工序；

在所述有机半导体层上形成栅极绝缘层的栅极绝缘层形成工序；

在所述栅极绝缘层上形成栅极的栅极形成工序。

11.如权利要求9或11所述的有机半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述有机半导体层形成工序用所述源极和漏极作为隔离壁而利用添加法形成所述由有机半导体材料构成的所述有机半导体层。

12.如权利要求11所述的有机半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述添加法是喷射法。

13.如权利要求9～12任一项所述的有机半导体元件的制造方法，其特征在于，

所述源极漏极形成工序中，利用涂敷并烧结含有金属纳米粒子的涂工液的涂敷法而形成源极和漏极。

14.如权利要求9所述的有机半导体元件，其特征在于，所述有机半导体形成工序中，用所述源极和漏极作为隔离壁而利用添加法形成有机半导体层，并且，所述栅极绝缘层形成工序中使形成的栅极绝缘层的表面相对于所述添加法所采用的有机半导体层形成用涂工液具有疏液性。

15.如权利要求10所述的有机半导体元件，其特征在于，所述有机半导体形成工序中，用所述源极和漏极作为隔离壁而利用添加法形成有机半导体层，并且，所述基板的表面相对于所述添加法所采用的有机半导体层形成用涂工液具有疏液性。