[发明专利]用于电编程半导体存储单元的方法及电路

权利要求书

1.一种电编程存储单元的方法，该方法包括：

-给存储单元施加至少一个电编程脉冲；

-验证该存储单元达到目标编程状态；以及

-重复所述施加和验证直到确定该存储单元达到所述目标编程状态为止，

其特征在于进一步包括：

-在确定存储单元达到目标编程状态之后，给该存储单元施加至少一个另外的电编程脉冲；

-在施加该另外的编程脉冲后至少再一次进一步验证该存储单元达到目标编程状态，以及

-如果作为所述进一步验证的结果，没有确定该存储单元达到目标编程状态，则给该存储单元施加又一个编程脉冲。

2.权利要求1的方法，其中存储单元是被并行编程的存储单元组的一部分，且其中对将被编程的组的所有存储单元执行所述施加至少一个电编程脉冲、验证目标编程状态的达到以及重复所述施加和验证直到确定达到目标编程状态为止，所述给存储单元施加至少一个另外的电编程脉冲并且进一步验证存储单元的动作与下述操作同时执行：给该组的至少一个另外的存储单元施加至少一个电编程脉冲，以及分别验证该组的该至少一个另外的存储单元是否已经达到相应的目标编程状态。

3.权利要求2的方法，其中所述给存储单元施加又一个编程脉冲与给该组的至少一个另外的存储单元施加至少一个电编程脉冲的操作同时执行。

4.一种用于电编程存储单元的编程电路，包括：

-用于根据存储单元将达到的目标编程状态引起向存储单元选择性施加电编程脉冲的装置；以及

-用于验证存储器达到目标编程状态的装置，

其特征在于：

-引起电编程脉冲的选择性施加的所述装置适于在用于验证的所述装置已经确定存储单元达到目标编程状态之后，引起至少一个另外的编程脉冲的施加；

-用于验证的所述装置适于在该至少一个另外的编程脉冲的所述施加之后，至少再一次进一步验证存储单元达到目标编程状态，以及

用于引起电编程脉冲的选择性施加的所述装置适于在作为所述进一步验证的结果没有确定该存储单元达到目标编程状态的情况下，引起给该存储单元又一个编程脉冲。

5.权利要求4的编程电路，包括：

-第一锁存装置(L1)，其适于锁存相应于目标编程状态的数据，当确定存储单元达到目标编程状态时，第一锁存装置的内容被用于验证的所述装置修改；

-用于给存储单元选择地施加电编程脉冲的电路(N1，M13，BLSe)，所述电路响应于第一锁存装置的内容；

-第二锁存装置(L3)，其在操作上耦合(M5，M6)到第一锁存装置，用于保存相应于目标编程状态的所述数据；以及

-第三锁存装置(L2)，第一锁存装置在操作上与其耦合(M10，M11)，用于存储是否已经确定存储单元达到目标编程状态的指示，用于给存储单元选择地施加电编程脉冲的所述电路进一步响应于第三锁存装置的内容。

6.权利要求5的编程电路，其中存储单元适于存储包括至少两数据比特的数据字，所述至少两数据比特包括第一数据比特组和第二数据比特组，该编程电路进一步包括：

-存储单元读取电路，其适于确定存储在存储单元中的第一数据比特组的值，以及适于在第一锁存装置中存储相应于所确定的第一数据比特组值的值；

-在操作上耦合到所述第一锁存装置和所述第二锁存装置的装置，该装置适于组合存储在第二锁存装置中的值和存储在第一锁存装置中且相应于所确定的第一数据比特组值的值，以便获得组合值，所述组合值限定存储单元的目标编程状态；

-用于传输所述组合值到所述第一锁存装置中的装置。

7.权利要求6的编程电路，其中在操作上耦合到所述第一锁存装置和所述第二锁存装置的所述装置包括第四锁存装置。

8.一种电可编程半导体存储器，包括多个存储单元，以及用于电编程所述多个的所选存储单元的编程电路，其特征在于所述编程电路根据权利要求4到7中的任何一项来实现。

9.权利要求8的电可编程半导体存储器，其中所述多个存储单元包括存储单元的NAND配置，并且这些存储单元分组成存储页，且所述编程电路被包括在用于读取/编程所述存储页的页缓冲器中。