[发明专利]半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成第一层；

在所述第一层上形成多个光吸收层；

在所述第一层以及所述多个光吸收层上形成具有透光性的层；

对于所述多个光吸收层照射直线形激光束以通过所述直线形激光束的能量去掉所述多个光吸收层并且通过所述直线形激光束的能量去掉重叠于所述多个光吸收层的所述具有透光性的层的一部分，

其中，在所述具有透光性的层的一部分中形成使所述第一层露出的开口部。

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第一层被露出以后，形成接触于所述第一层的第二层。

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一层是半导体层或导电层。

4.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中所述具有透光性的层是绝缘层。

5.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成第一层；

在所述第一层上形成多个光吸收层；

在所述第一层上形成具有透光性的第二导电层；

在所述多个光吸收层以及所述具有透光性的第二导电层上形成具有透光性的第三层；

对于所述多个光吸收层以及所述具有透光性的第二导电层照射直线形激光束以通过所述直线形激光束的能量去掉所述多个光吸收层并且通过所述直线形激光束的能量去掉重叠于所述多个光吸收层的所述具有透光性的第三层的一部分，

其中，在所述具有透光性的第三层的一部分中形成使所述第一层露出的开口部。

6.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第一层被露出以后，形成接触于所述第一层的第二层。

7.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一层是半导体层或导电层。

8.根据权利要求5所述的半导体装置的制造方法，其中所述具有透光性的层是绝缘层。

9.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成第一层；

在所述第一层上形成多个光吸收层；

在所述第一层上形成在第一方向上延伸的具有透光性的第二导电层；

在所述多个光吸收层以及所述具有透光性的第二导电层上形成具有透光性的第三层；

在与所述第一方向交叉的方向上对于形成有所述多个光吸收层的区域照射直线形激光束以通过所述直线形激光束的能量去掉所述多个光吸收层并且通过所述直线形激光束的能量去掉重叠于所述多个光吸收层的所述具有透光性的第三层的一部分，

其中，在所述具有透光性的第三层的一部分中形成使所述第一层露出的开口部。

10.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中在所述第一层被露出以后，形成接触于所述第一层的第二层。

11.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一层是半导体层或导电层。

12.根据权利要求9所述的半导体装置的制造方法，其中所述具有透光性的层是绝缘层。

13.一种半导体装置的制造方法，包括：

在衬底上形成第一层；

在所述第一层上形成多个光吸收层；

在所述第一层以及所述多个光吸收层上形成具有透光性的层；

对于所述多个光吸收层照射直线形激光束以通过所述直线形激光束的能量去掉所述多个光吸收层的各部分并且通过所述直线形激光束的能量去掉重叠于所述多个光吸收层的所述具有透光性的层的一部分，

其中，在所述具有透光性的层的一部分中形成使所述多个光吸收层露出的开口部。

14.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述第一层是半导体层或导电层。

15.根据权利要求13所述的半导体装置的制造方法，其中所述具有透光性的层是绝缘层。