[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置，具备：

发射极层；

发射极电极，其形成在所述发射极层的表面上，且由金属和半导体的金属半导体化合物构成；

第一反应抑制层，其形成在所述发射极层和所述发射极电极之间，用于抑制从所述发射极电极扩散的所述金属的透过。

2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，

所述金属半导体化合物包括金属硅化物。

3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一反应抑制层包括氮化钽(TaN)或氮化钛(TiN)。

4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，

所述第一反应抑制层由多晶体或微晶体形成。

5.根据权利要求1～4中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具备包含杂质的第二半导体层，其形成在所述发射极层和所述第一反应抑制层之间。

6.根据权利要求1～5中的任一项所述的半导体装置，其特征在于，

还具备：

栅极绝缘膜；

栅极电极，其形成在所述栅极绝缘膜的表面上，包括与构成所述发射极电极的所述金属半导体化合物相同材质的金属半导体化合物；及

第二反应抑制层，其形成在所述栅极绝缘膜和所述栅极电极之间，用于抑制从所述栅极电极扩散的金属的透过。

7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，

还具备包含杂质的第三半导体层，其形成在所述栅极绝缘膜和所述第二反应抑制层之间。

8.一种半导体装置的制造方法，具备：

形成发射极层的工序；

在所述发射极层的表面上，形成用于抑制金属的透过的第一反应抑制层的工序；及

在形成所述第一反应抑制层之后，在所述第一反应抑制层的表面上形成由金属和半导体的金属半导体化合物构成的发射极电极的工序。

9.根据权利要求8所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

形成由所述金属和半导体的金属半导体化合物构成的发射极电极的工序，包括在所述第一反应抑制层的表面上形成硅层之后，通过使所述硅层与金属进行热反应，形成由金属硅化物构成的发射极电极的工序。

10.根据权利要求8或9所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一反应抑制层由氮化钽(TaN)或氮化钛(TiN)形成。

11.根据权利要求8～10中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备：在形成所述第一反应抑制层的工序之前，在所述发射极层的表面上，形成含有杂质的第二半导体层的工序。

12.根据权利要求8～11中的任一项所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备下述工序：

形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜的表面上，形成用于抑制金属的透过的第二反应抑制层；及

在所述第二反应抑制层形成后，在所述第二反应抑制层的表面上，形成栅极电极的工序，该栅极电极包含与构成所述发射极电极的所述金属半导体化合物相同材质的金属半导体化合物。

13.根据权利要求12所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

所述第一反应抑制层和所述第二反应抑制层通过同一工序形成。

14.根据权利要求12或13所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，

还具备：

在形成所述第二反应抑制层的工序之前，在所述栅极电极的表面上，形成包含杂质的第三半导体层的工序。