[发明专利]高阻抗电平移动放大器

权利要求书

1.一种高阻抗电平移动的装置，包括：

一个电平移动放大器，用于对电压幅值大于所述电平移动放大器 的供电电压的输入信号进行电平移动；

其中所述电平移动放大器包括：

第一晶体管，该第一晶体管的背栅极作为所述电平移动放大器的 输入端，该第一晶体管的源极作为所述电平移动放大器的输出端；以 及

栅源极偏置产生电路，耦接于所述输出端和该第一晶体管的顶栅 极之间。

2.根据权利要求1所述的装置，其中所述栅源极偏置产生电路 包括第二晶体管，该第二晶体管的源极和背栅极连接到所述输出端。

3.根据权利要求1所述的装置，其中栅源极偏置产生电路包括 一个MOSFET。

4.根据权利要求3所述的装置，其中所述MOSFET是一个N 沟道的MOSFET。

5.根据权利要求2所述的装置，其中所述第一晶体管与所述第 二晶体管的尺寸不同。

6.一种高阻抗电平移动的装置，包括：

一个电平移动放大器，包括一个电压跟随器电路，所述电压跟随 器电路包括：一个匹配电路，该匹配电路包括与所述电压跟随器的多 个晶体管匹配的多个晶体管；

所述电平移动放大器用于对电压幅值大于所述电平移动放大器 的供电电压的输入信号进行电平移动，且所述电平移动放大器的输入 阻抗大于100M欧姆。

7.根据权利要求6所述的装置，其中所述电压跟随器电路包括 至少一个JFET。

8.根据权利要求7所述的装置，其中所述电压跟随器电路包括 一个N沟道JFET。

9.根据权利要求6所述的装置，还包括一个伺服放大器，该伺 服放大器包括一个连接到所述匹配电路的输出端。

10.根据权利要求9所述的装置，所述伺服放大器具有第一输入 端，用于接收反馈信号。

11.根据权利要求10所述的装置，所述伺服放大器具有第二输 入端，用于接收补偿基准电压。

12.根据权利要求11所述的装置，其中所述电平移动放大器对 输入信号进行电平移动的量为补偿基准电压的函数。

13.根据权利要求6所述的装置，还包括一个电流源。

14.根据权利要求13所述的装置，其中所述电流源包括至少一 个电流镜。

15.根据权利要求14所述的装置，其中所述至少一个电流镜包 括一对双极晶体管。

16.根据权利要求15所述的装置，其中所述双极晶体管包括NPN 双极晶体管。

17.根据权利要求14所述的装置，其中所述至少一个电流镜包 括多个晶体管，其中第一晶体管与第二晶体管的尺寸不同。

18.根据权利要求1或6所述的装置，其中所述电平移动放大器 的输入阻抗大于1G欧姆。

19.根据权利要求1或6所述的装置，其中所述电平移动放大器 的输入阻抗大于10G欧姆。

20.根据权利要求1或6所述的装置，其中与输入信号相关的输 入偏置电流小于1飞安培。

21.根据权利要求1或6所述的装置，其中所述电平移动放大器 是一个全桥系统的组成部分。

22.一个高阻抗电平移动的系统，包括：

一个集成电路；

一个在所述集成电路上实施的电平移动放大器，包括一个电压跟 随器电路，所述电压跟随器电路包括一个第一晶体管和一个第二晶体 管，其中所述第一晶体管与所述第二晶体管的尺寸不同；

所述电平移动放大器用于对电压幅值大于所述电平移动放大器 的供电电压的输入信号进行电平移动；

其中所述电平移动放大器的输入阻抗大于100M欧姆。