[发明专利]传感器芯片的封胶方法有效
| 申请号： | 200710096900.0 | 申请日： | 2007-04-16 |
| 公开（公告）号： | CN101290893A | 公开（公告）日： | 2008-10-22 |
| 发明（设计）人： | 杨国宾;萧伟民 | 申请（专利权）人： | 日月光半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/50 | 分类号： | H01L21/50;H01L21/56;H01L21/60 |
| 代理公司： | 上海翼胜专利商标事务所 | 代理人： | 翟羽 |
| 地址： | 中国台湾高雄*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 传感器 芯片 方法 | ||
1、一种传感器芯片的封胶方法，其包含如下步骤：
提供至少一传感器芯片，其具有一主动面、一对应的背面并定义有若干个在该主动面与该背面之间的侧面，该主动面形成有若干个焊垫并包含有一感测区；
在该传感器芯片的该主动面形成一保护层，该保护层至少覆盖该感测区；
贴附该传感器芯片至一暂时载体，该传感器芯片的该主动面朝向该暂时载体，并以该保护层贴附至该暂时载体；
在该暂时载体上形成一封胶体，该封胶体覆盖该传感器芯片的该背面与该些侧面；
移除该暂时载体；以及
在该封胶体形成若干个电连接组件，其电性连接至该些焊垫。
2、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：其另包含移除该保护层，以显露出该感测区的步骤。
3、如权利要求2所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：该保护层为一感旋光性干膜。
4、如权利要求2所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：其另包含在移除该保护层之后，在该传感器芯片的该主动面形成一透光性钝化层，以保护该感测区及该些电连接组件的步骤。
5、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：该封胶体具有若干个指状凹槽，以供形成导电金属。
6、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：在形成该些电连接组件步骤中另包含如下步骤：
在该封胶体形成若干个通孔；以及
在该些通孔内形成导电金属。
7、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：在形成该些电连接组件步骤中另包含如下步骤：
在该封胶体形成若干个沟槽，该些沟槽位于该传感器芯片的该主动面上方并延伸至该传感器芯片的该些焊垫；以及
在该些沟槽内形成导电金属。
8、如权利要求5、6或7所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：上述形成导电金属的方法包括电镀。
9、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：该传感器芯片的该主动面周边形成有倒角。
10、如权利要求1所述的传感器芯片的封胶方法，其特征在于：其另包含有，在该传感器芯片贴附至该暂时载体之前，该传感器芯片为一体构成于一晶圆内，对晶圆进行切割，以分离该传感器芯片的步骤。
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