[发明专利]MIM电容器器件及其制造方法

权利要求书

1.一种器件，包括：

包括一个或者多个导电层的上极板，其具有顶面、底面和侧壁；

包括一个或者多个导电层的分流板，其具有顶面、底面和侧壁；以及

包括一个或者多个电介质层的电介质块，其具有顶面、底面和侧壁，该电介质块的顶面与所述上极板的底面物理接触，该电介质块的底面在所述分流板的顶面的上方，所述上极板和所述电介质块的所述侧壁基本上共面。

2.如权利要求1所述的器件，还包括：

包括一个或者多个导电层的导电下极板，其具有顶面、底面和侧壁，

所述下极板的所述顶面与电介质块的所述底面物理接触，所述下极板的所述底面与所述分流板物理和电接触，所述下极板的所述侧壁和所述电介质块以及所述上极板的所述侧壁共面。

3.如权利要求2所述的器件，其中，所述分流板的所述侧壁与所述上极板、下极板和所述电介质块的所述侧壁共面。

4.如权利要求2所述的器件，其中，所述上极板、所述下极板和所述电介质块的周界的延伸不超过所述分流板的周界。

5.如权利要求2所述的器件，还包括：与所述分流板的所述底面物理和电接触的一个或者多个导电下部布线，以及与所述上极板的所述顶面物理和电接触的一个或者多个导电上部布线。

6.如权利要求5所述的器件，其中，所述下部布线和上部布线包括铜。

7.如权利要求2所述的器件，其中，所述分流板包括氮化钛层、氮化钽层、钽层、钨层或者它们的组合。

8.如权利要求1所述的器件，还包括与所述下极板的所述底面物理和电接触的一个或者多个导电下部布线，以及与所述上极板的所述顶面物理和电接触的一个或者多个导电上部布线。

9.如权利要求8所述的器件，其中，所述下部布线和所述上部布线包括铜。

10.如权利要求1所述的器件，其中，所述下极板和所述上极板相互无关地包括钽层、氮化钽层、钛层、氮化钛层、钨层或者它们的组合。

11.如权利要求10所述的器件，其中，所述电介质块包括金属氧化物层、Ta₂O₅层、BaTiO₃层、HfO₂层、ZrO₂层、Al₂O₃层、金属硅酸盐层、HfSi_xO_y层、HfSi_xO_yN_z层或者它们的组合。

12.如权利要求1所述的器件，其中，所述下极板的所述顶面的面积限定了包括所述下极板、所述电介质块和所述上极板的绝缘体上金属电容器的电容面积。

13.一种方法，包括：

在第一层间电介质层中形成一个或者多个铜下部互连；

在所述第一层间电介质层的顶部上形成第一中间电介质层；

在所述第一中间电介质层中形成沟槽，所述一个或者多个下部互连的顶面在所述沟槽的底部暴露；

在所述沟槽中形成导电分流板并完全填充所述沟槽，所述分流板的底面与所述一个或者多个铜下部互连物理和电接触；

在所述分流板的顶面上方形成MIM电介质块；

在所述MIM电介质块的顶面上形成导电上极板，该上极板和所述MIM电介质板的侧壁基本上共面；

在第一中间电介质层的顶部上形成第二中间电介质层，该第二中间电介质层的顶面与所述上极板的顶面共面；

在所述第二中间电介质层和所述上极板的所述顶面上形成第二层间电介质层；

在所述第二层间电介质层中形成一个或者多个铜上部互连，所述一个或者多个上部互连与所述上极板的所述顶面物理和电接触。

14.如权利要求13所述的方法，还包括：在所述分流板和所述电介质块之间形成导电下极板，所述下极板的侧壁与所述电介质块和所述上极板的所述侧壁共面。

15.如权利要求14所述的方法，其中，所述下极板包括钽层、氮化钽层、钛层、氮化钛层、钨层或者它们的组合。