[发明专利]半导体激光装置及其制造方法、光传输模块和光盘设备有效
| 申请号: | 200710096023.7 | 申请日: | 2007-04-10 |
| 公开(公告)号: | CN101055970A | 公开(公告)日: | 2007-10-17 |
| 发明(设计)人: | 蛭川秀一;岸本克彦 | 申请(专利权)人: | 夏普株式会社 |
| 主分类号: | H01S5/00 | 分类号: | H01S5/00;H01S5/10;H01S5/343 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 半导体 激光 装置 及其 制造 方法 传输 模块 光盘 设备 | ||
1.一种半导体激光装置的制造方法,所述半导体激光装置至少包括具有用于发射激光的谐振腔端面与反射控制膜的半导体激光元件,所述方法包括:
激光器晶片形成步骤,形成至少具有半导体层以形成谐振腔端面的激光器晶片;
解理步骤,在空气中解理所述激光器晶片并形成具有所述谐振腔端面的半导体激光元件;
接触步骤,将所述谐振腔端面与含氮气90-100体积%的含氮气气体接触至少一个小时;以及
反射控制膜形成步骤,形成与所述谐振腔端面接触的反射控制膜。
2.根据权利要求1的半导体激光装置制造方法,其中在所述反射控制膜形成步骤中,所述反射控制膜是在所述谐振腔端面被加热的状态下形成的。
3.根据权利要求2的半导体激光装置制造方法,其中在所述谐振腔端面温度设定为200至300℃的范围内执行所述加热。
4.一种通过根据权利要求1至3任何一项的半导体激光装置制造方法得到的半导体激光装置,其中氮原子存在于所述谐振腔端面与所述反射控制膜之间的界面。
5.根据权利要求4的半导体激光装置,其中在所述谐振腔端面处形成激光发射区域的材料至少包括Ga。
6.一种光传输模块,所述光传输模块使用通过根据权利要求1至3任何一项的半导体激光装置制造方法得到的半导体激光装置或者使用根据权利要求4或5的半导体激光装置。
7.一种光盘设备,所述光盘设备使用通过根据权利要求1至3任何一项的半导体激光装置制造方法得到的半导体激光装置或者使用根据权利要求4或5的半导体激光装置。
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