[发明专利]低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法

权利要求书

1.一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法，其特征在于，该方法步骤包括：

(1)在N⁺硅片上生长厚度为4～5μm的N^-外延层；

(2)生长厚度为950～1050nm的SiO₂层，光刻，刻出需要形成N⁺区的区域；生长薄氧化层，套刻需要形成N⁺区的区域，砷离子注入；

(3)去胶，在1100～1200℃下高温退火推结，形成所需要的N⁺区域；

(4)在所述已具有N⁺区域的硅片上进行第二次外延，生长一层常规VDMOS晶体管制造所需的N^-外延层；按常规VDMOS晶体管的制造工艺，进行常规功率VDMOS晶体管的制作。

2.根据权利要求1所述的一种低导通电阻功率VDMOS晶体管的制造方法，其特征在于：所述按常规VDMOS晶体管的制造工艺，进行常规功率VDMOS晶体管的制作的方法包括：

(1)在所述已进行了第二次外延的硅片上生长厚度为750～950nm的SiO₂层；光刻P⁺环区，腐蚀掉该区域的SiO₂层；离子注入硼；去胶；

(2)在950～1050℃下高温退火，进行硼推结，形成VDMOS晶体管的隔离环；光刻有源区；生长厚度为100～120nm的栅氧层；采用LPCVD法，淀积厚度为500～600nm的多晶硅层，多晶硅掺杂；光刻，形成VDMOS晶体管的多晶硅栅区；

(3)套刻有源区，离子注入硼；在850～950℃下高温退火，进行硼推结，形成VDMOS晶体管的P阱区；套刻VDMOS晶体管的源区，注入磷；再次套刻VDMOS晶体管源区的中间区域，注入硼；采用LPCVD法，淀积厚度为400～500nm的SiO₂层；

(4)在850～950℃下高温增密，形成VDMOS晶体管的源区及其P⁺接触区；光刻引线孔，腐蚀SiO₂，去胶；溅射厚度为1-1.2μm的硅铝层；

(5)光刻引线，腐蚀硅铝，形成VDMOS晶体管的源极和栅极；钝化；光刻键合孔，腐蚀SiO₂，去胶；

(6)N⁺硅片的底部经过背面金属化处理，形成VDMOS管的漏极。