[发明专利]晶圆级封装结构的制作方法

说明书

技术领域

本发明是有关于一种封装结构的制作方法，且特别是有关于一种晶圆级封装结构的制作方法。 

背景技术

近几年来，随着携带式(portable)电子产品、手持式通讯以及消费性电子产品的成长性已凌驾于传统个人计算机(PC)产品之上，电子组件不断地朝向高容量、窄线宽的高密度化、高频、低耗能、多功能整合方向发展。而在集成电路(integrated circuit，IC)封装技术方面，为配合高输入/输出(I/O)数、高散热以及封装尺寸缩小化的要求下，使得晶粒级封装(chip scale package，CSP)、晶圆级封装(wafer level package)等高阶封装技术需求不断升高。 

有别于传统以单一芯片(die)为加工标的的封装技术，晶圆级封装以晶圆(wafer)为封装处理的对象，其主要目的在简化芯片的封装制程，以节省时间及成本。在晶圆上的集成电路制作完成以后，便可直接对整片晶圆进行封装制程，其后再进行晶圆切割(wafer saw)的动作，以分别形成多个芯片封装体。制作完成的芯片封装体可安装于载板上。 

在使芯片与载板接合时，现有技术是在芯片的焊垫上形成凸块，并以导电胶填充于芯片封装体的凸块与载板的接垫之间。导电胶可将芯片封装体固定在载板上，并使芯片封装体与载板电性连接。然而，在芯片封装体与载板接合的过程中，由于凸块的推挤，导电胶中的导电粒子可能会滑动，而发生压合不破的现象。如此，会降低凸块与接垫间的电性连接的可靠度，进而降低芯片封装体与载板之间的电性连接的可靠度。 

发明内容

本发明提供一种晶圆级封装结构的制作方法，可提高芯片封装体与载板之 间电性连接的可靠度。 

为解决上述问题，本发明提出一种晶圆级封装结构的制作方法，其包括下列步骤。首先，提供一晶圆，其中晶圆具有多个焊垫以及一保护层，而保护层具有多个第一开口以将焊垫暴露。接下来，进行一凸块制程，并于各焊垫上分别形成一凸块。之后，于各凸块的一顶面上分别形成一凹槽。 

本发明由于在凸块的顶面上形成凹槽，因此，在以导电胶连接芯片封装体与载板时，凹槽可固定导电胶中的导电粒子，而使导电粒子不会因凸块与载板之间的挤压而滑动。如此，可提高凸块与载板的接垫间的电性连接的可靠度。 

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中： 

图1A至图1H为本发明一实施例的晶圆级封装结构的制作方法流程图。 

图2为图1H的实施例中芯片封装体与载板连接示意图。 

图3为本发明一实施例中凸块的俯视图。 

图4为本发明另一实施例中凸块的俯视图。 

图5为本发明又一实施例中凸块的俯视图。 

图6为本发明再一实施例中凸块的俯视图。 

主要组件符号说明 

50：第一罩幕 

60：图案化罩幕 

62：第二开口 

70：载板 

72：接垫 

80：导电胶 

82：导电粒子 

100：晶圆 

100’：晶圆级封装结构 

100a：芯片封装体 

110：焊垫 

120：保护层 

122：第一开口 

130、130a、130b、130c、130d：凸块 

132：顶面 

134：凹槽 

136：沟渠 

136a：第一沟渠 

136b：第二沟渠 

140：球底金属层 

140：金属层 

138：凹陷 

具体实施方式

图1A至图1H为本发明一实施例的晶圆级封装结构的制作方法流程图。请参照图1A至图1H，本发明的晶圆级封装结构的制作方法包括下列步骤。首先，请参照图1A，提供一晶圆100，其中晶圆100上具有多个焊垫110以及一保护层120，而保护层120具有多个第一开口122以暴露出一部分的焊垫110。 

接下来，请参照图1B至图1D，进行一凸块制程，在各焊垫110由第一开口122暴露的部分上分别形成一凸块130。