[发明专利]离子注入后的清洗方法有效
| 申请号： | 200710046311.1 | 申请日： | 2007-09-20 |
| 公开（公告）号： | CN101393843A | 公开（公告）日： | 2009-03-25 |
| 发明（设计）人： | 刘焕新 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/02;H01L21/306;H01L21/265 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 离子 注入 清洗 方法 | ||
1.一种离子注入后的清洗方法，其特征在于，包括：
提供半导体基底；
对所述半导体基底执行离子注入操作；
利用氧化清洗溶液对经历离子注入操作后的所述半导体基底执行第一清洗操作，所述执行第一清洗操作包括顺序利用臭氧的水溶液和盐酸溶液执行第一清洗操作；
配置碱性清洗溶液，所述碱性清洗溶液的PH值大于8；
利用所述碱性清洗溶液对所述半导体基底执行第二清洗操作。
2.根据权利要求1所述的离子注入后的清洗方法，其特征在于：顺序利用臭氧的水溶液和盐酸溶液执行第一清洗操作时，执行第一清洗操作的步骤包括：
利用臭氧的水溶液执行氧化预清洗操作；
利用盐酸溶液对经历氧化预清洗操作的半导体基底执行氧化后预清洗操作；
对经历氧化后预清洗的所述半导体基底执行测试操作；
若测试合格，则确定所述半导体基底满足清洗要求；
若测试不合格，则执行所述半导体基底的氧化预清洗、氧化后预清洗及测试的操作，直至确定所述半导体基底满足清洗要求。
3.根据权利要求1所述的离子注入后的清洗方法，其特征在于：顺序利用臭氧的水溶液和盐酸溶液执行第一清洗操作时，执行第一清洗操作的步骤包括：
利用臭氧的水溶液对所述半导体基底执行氧化预清洗操作；
确定所述氧化预清洗操作的执行次数n，n为自然数；
对经历氧化预清洗后的所述半导体基底执行氧化后预清洗操作；
对经历氧化后预清洗的所述半导体基底交替执行n-1次所述半导体基底的氧化预清洗及氧化后预清洗操作。
4.根据权利要求1所述的离子注入后的清洗方法，其特征在于：所述碱性清洗溶液为氨水和双氧水的混合溶液。
5.根据权利要求1所述的离子注入后的清洗方法，其特征在于：所述第二清洗操作的持续时间为200～300秒。
6.根据权利要求1所述的离子注入后的清洗方法，其特征在于：所述第二清洗操作选用的温度为20～30摄氏度。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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