[发明专利]在低介电常数介质层中形成通孔的方法有效
| 申请号： | 200710044345.7 | 申请日： | 2007-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101355047A | 公开（公告）日： | 2009-01-28 |
| 发明（设计）人： | 赵林林;马擎天 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 介电常数 介质 形成 方法 | ||
1.一种在低介电常数介质层中形成通孔的方法，包括：
提供一半导体衬底，所述衬底包括金属连接线；
在所述金属连接线表面依次形成第一覆盖层、低介电常数介质层、第二覆盖层；
在所述第二覆盖层表面形成光刻胶掩膜层；
以所述光刻胶掩膜层为掩膜刻蚀所述第二覆盖层、低介电常数介质层直至暴露所述第一覆盖层，从而在低介电常数介质层中形成通孔；
沉积一用于保护所述低介电常数介质层的保护层覆盖所述通孔内壁表面；
移除所述光刻胶掩膜层；
移除所述保护层和暴露的第一覆盖层，以露出所述金属连接线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述保护层采用在反应室中原位(in suit)沉积的方式形成。
3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于：所述保护层的材料为氯氧硅化物(SiOCl)。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于：所述保护层的厚度为
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，形成光刻胶掩膜层的步骤包括：
在所述第二覆盖层表面形成有机抗反射层；
在所述有机抗反射层表面涂布光刻胶层；
图案化所述光刻胶层。
6.根据权利要求2或3所述的方法，其特征在于，形成所述保护层的反应物包括氧气，流量为700～1200sccm；硅烷，流量为30～80sccm；反应室内的压力为8～12Torr，射频功率为850～1300W。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一覆盖层的材料为氮化硅、氮氧化硅或氮碳氧化硅。
8.根据权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二覆盖层的材料为氧化硅或氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
