[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200710040249.5 | 申请日： | 2007-04-24 |
| 公开（公告）号： | CN101295656A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | 宁先捷 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/60 | 分类号： | H01L21/60;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 李文红 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的制造方法，包括：
在顶层互连层表面形成第一钝化层；
执行热退火步骤；
图案化所述第一钝化层；
在所述第一钝化层和互连层表面沉积金属铝；
图案化所述金属铝形成焊盘和引线；
在所述焊盘和引线表面形成第二钝化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述热退火步骤在氢气和氮气的气氛中进行。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：所述热退火的温度为300℃～500℃。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述热退火的时间为10～90分钟。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一钝化层为叠层结构，采用等离子增强化学气相淀积工艺形成。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述叠层结构包括氧化硅、氮化硅和/或氮氧化硅。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述金属铝的厚度为6000～2μm，采用物理气相淀积工艺形成。
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在顶层互连层表面形成覆盖层的步骤。
9.如权利要求8所述的方法，其特征在于：所述覆盖层为含碳氧化硅或氮化硅，采用等离子增强化学气相淀积工艺形成。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括在所述第一钝化层和互连层表面沉积黏附层的步骤。
11.如权利要求10所述的方法，其特征在于：所述黏附层为钽和/或氮化钽，采用物理气相淀积工艺形成。
12.如权利要求11所述的方法，其特征在于：所述黏附层的厚度为300～1000
13.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二钝化层为氮化硅或氮氧化硅。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
