[发明专利]掺杂区的形成方法

权利要求书

1. 一种掺杂区的形成方法，适用于一基底，所述基底上已形成有多个互相平行的第一栅极与多个互相平行的第二栅极，其中所述第一栅极往一第一方向延伸，所述第二栅极往一第二方向延伸，且所述第一方向与所述第二方向相交，所述方法包括：

在平行所述第一栅极，且与所述基底的垂直切面夹一倾斜角θ的方向上，对所述基底进行一第一导电型掺杂剂注入工艺，于所述第一栅极之间形成一第一导电型掺杂区，其中，所述第二栅极阻挡所述第一导电型掺杂剂注入于所述第二栅极周围的所述基底中。

2. 如权利要求1的掺杂区的形成方法，更包括在平行所述第二栅极，且与所述基底的垂直切面夹一倾斜角δ的方向上，对所述基底进行一第二导电型掺杂剂注入工艺，于所述第一栅极之间形成一第一导电型掺杂区，其中，所述第一栅极阻挡所述第二导电型掺杂剂注入于所述第一栅极周围的所述基底中。

3. 如权利要求2的掺杂区的形成方法，其中所述第一栅极的高度为H1，所述第一栅极的间距为W1，所述倾斜角δ≥tan^-1(W1/H1)。

4. 如权利要求1的掺杂区的形成方法，其中所述第二栅极的高度为H2，所述第二栅极的间距为W2，所述倾斜角θ≥tan^-1(W2/H2)。

5. 如权利要求1的掺杂区的形成方法，其中所述基底上更包括一第一有源区与一第二有源区，所述第一栅极位于所述第一有源区上，所述第二栅极位于所述第二有源区上。

6. 如权利要求5的掺杂区的形成方法，更包括二第一虚拟栅极，分别形成于所述第一有源区两侧，且平行所述第一栅极。

7. 如权利要求6的掺杂区的形成方法，更包括二第二虚拟栅极，形成于所述第一有源区上，且分别位于所述第一虚拟栅极与所述第一栅极之间。

8. 如权利要求5的掺杂区的形成方法，更包括二第三虚拟栅极，分别形成于所述第二有源区两侧，且平行所述第二栅极。

9. 如权利要求8的掺杂区的形成方法，更包括二第四虚拟栅极，形成于所述第二有源区上，且分别位于所述第三虚拟栅极与所述第二栅极之间。

10. 如权利要求1的掺杂区的形成方法，其中所述第一方向大约垂直于所述第二方向。

11. 一种掺杂区的形成方法，所述方法包括：

提供一基底，所述基底包括一第一有源区与一第二有源区，所述第一有源区两侧的所述基底上设置有二互相平行的第一虚拟栅极，所述第二有源区两侧的所述基底上设置有二互相平行的第二虚拟栅极，所述第一虚拟栅极与所述第二虚拟栅极垂直，所述方法包括：

在平行所述第一虚拟栅极，且与所述基底的垂直切面夹一倾斜角θ的方向上，对所述基底进行一第一导电型掺杂剂注入工艺，于所述第一有源区形成一第一导电型掺杂区，所述第二虚拟栅极阻挡所述第一导电型掺杂剂注入于所述第二有源区的所述基底中；以及

在平行所述第二虚拟栅极，且与所述基底的垂直切面夹一倾斜角δ的方向上，对所述基底进行一第二导电型掺杂剂注入工艺，于所述第二有源区形成一第二导电型掺杂区，所述第一栅极阻挡所述第一导电型掺杂剂注入于所述第一有源区的所述基底中。

12. 如权利要求11的掺杂区的形成方法，其中所述第一虚拟栅极的高度为T1，所述第一有源区的宽度为L1，所述第一有源区与所述第一虚拟栅极之间的间距为D1，所述倾斜角δ≥tan^-1[(L1+D1)/T1]。

13. 如权利要求11的掺杂区的形成方法，其中所述第二虚拟栅极的高度为T2，所述第二有源区的宽度为L2，所述第二有源区与所述第二虚拟栅极之间的间距为D2，所述倾斜角θ≥tan^-1[(L2+D2)/T2]。

14. 如权利要求11的掺杂区的形成方法，更包括一第二导电型晶体管设置于所述第一有源区上。

15. 如权利要求11的掺杂区的形成方法，更包括一第一导电型晶体管设置于所述第二有源区上。

16. 如权利要求11的掺杂区的形成方法，其中所述第一有源区的所述基底上更包括设置有一第一栅极。