[发明专利]有机半导体，其制备和包含它们的半导体设备

权利要求书

1.一种半导体器件，所述器件包含二(取代乙炔基)化合物，该化合物具有含杂原子的三环或多环芳烃主链，其中构成所述主链的环分别通过不超过两个共用的环原子相互稠合，且邻接环的共用原子数目为共有侧边区域数目的两倍，前提是所述主链与乙炔基一起属于与C_2v混合的C_2h、C_2h、D_2h和/或C_s点对称群，所述化合物具有式I

(I)

其中标记有A的环是具有6个原子的芳环；

其中式I化合物中标记为B和C的环或环系统各自包含至少一个杂原子，且选自以下部分，其中虚线键标记与该分子的其余部分稠合的环或环系统的侧边：

或环C选自前述的部分，而环B具有式

或 ；

在Q每次出现且各环相互独立时，Q为氢或以下X或Z定义的无取代或取代的烃基、无取代或取代的烃基羰基或杂芳基；

Z^*和Z^**互相独立，选自H；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷基；无取代或取代的C₂-C₂₀-烯基；无取代或取代的C₂-C₂₀-炔基；无取代或取代的C₆-C₁₄-芳基；无取代或取代的具有5至14个环原子的杂芳基；无取代或取代的C₆-C₁₄-芳基-C₁-C₂₀-烷基；无取代或取代的杂芳基-C₁-C₂₀-烷基，其中所述杂芳基具有5至14个环原子；无取代或取代的二茂铁基；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷酰基；卤素；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷氧基；C₃-C₂₀-链烯氧基；C₃-C₂₀-炔氧基；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷硫基；C₃-C₂₀-烯硫基；C₃-C₂₀-炔硫基；羧基；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷氧基-羰基；无取代或取代的苯基-C₁-C₂₀-烷氧基-羰基；氨基；N-单或N,N-二-(C₁-C₂₀-烷基，C₁-C₂₀-烷酰基和/或苯基-C₁-C₂₀-烷基)-氨基；氰基；氨基甲酰基；N-单或N,N-二-(C₁-C₂₀-烷基；C₁-C₂₀-烷酰基和/或苯基-C₁-C₂₀-烷基)-氨基甲酰基和氨磺酰基；

n表示取代基X的数目，m表示取代基Y的数目，且p表示取代基Z的数目，其中

n和p各自为0至4，且m为0至2，其前提是m、n和p的总和至少为2；

存在于式I中的X、Y和Z中的两个为取代的乙炔基，所述取代的乙炔基被选自以下的取代基取代：无取代或取代的含有至多到40个碳原子的烃基；无取代或取代的含有至多到40个碳原子的烃氧基；含有至多到40个碳原子的烃硫基；无取代或取代的杂芳基；无取代或取代的杂芳氧基；无取代或取代的杂芳硫基；氰基；氨基甲酰基；取代的氨基；卤代-C₁-C₈-烷基；以及取代的甲硅烷基；

其余的X、Y和/或Z选自无取代或取代的C₁-C₂₀-烷基；无取代或取代的C₂-C₂₀-烯基；除了上述取代的乙炔基之外的无取代或取代的C₂-C₂₀-炔基；无取代或取代的C₆-C₁₄-芳基；无取代或取代的具有5至14个环原子的杂芳基；无取代或取代的C₆-C₁₄-芳基-C₁-C₂₀-烷基；无取代或取代的杂芳基-C₁-C₂₀-烷基，其中所述杂芳基具有5至14个环原子；无取代或取代的二茂铁基；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷酰基；卤素；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷氧基；C₃-C₂₀-烯氧基；C₃-C₂₀-炔氧基；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷硫基；C₃-C₂₀-烯硫基；C₃-C₂₀-炔硫基；羧基；无取代或取代的C₁-C₂₀-烷氧基-羰基；无取代或取代的苯基-C₁-C₂₀-烷氧基-羰基；氨基；N-单-(C₁-C₂₀-烷基)-氨基；N,N-二-(C₁-C₂₀-烷基)-氨基；C₁-C₂₀-烷酰基氨基；苯基-(C₁-C₂₀-烷基)-氨基；氰基；氨基甲酰基；N-单-(C₁-C₂₀-烷基)-氨基甲酰基；N,N-二-(C₁-C₂₀-烷基)-氨基甲酰基；C₁-C₂₀-烷酰基-氨基甲酰基；苯基-(C₁-C₂₀-烷基)-氨基甲酰基；氨磺酰基；N-单-(C₁-C₂₀-烷基)- 氨磺酰基；N,N-二-(C₁-C₂₀-烷基)- 氨磺酰基；C₁-C₂₀-烷酰基-氨磺酰基；苯基-(C₁-C₂₀-烷基)- 氨磺酰基；

或二(取代乙炔基)化合物为选自式V或VI那些化合物的化合物

(V) (VI),

或为式I^*或I^**的化合物，

其中各R'独立选自C₁-C₂₀-烷基、苯甲基、C₁-C₁₂全氟烷基、C₁-C₁₂全氟烷酰基、氟代苯基，以及SiR₃，其中R独立为C₁-C₆烷氧基；

R^*为氢或R'；和

X和Z为上述定义的取代的乙炔基。