[发明专利]晶体管器件及其制造方法有效
| 申请号： | 200680039811.6 | 申请日： | 2006-07-27 |
| 公开（公告）号： | CN101297407A | 公开（公告）日： | 2008-10-29 |
| 发明（设计）人： | C·黄;J·A·欣茨曼;D·J·施勒曼;H·廖 | 申请（专利权）人： | 惠普开发有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/40;H01L29/423;H01L21/336;H01L29/10 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 张雪梅;王忠忠 |
| 地址： | 美国德*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 器件 及其 制造 方法 | ||
1.一种晶体管器件，包括：
第一型半导体材料的轻掺杂层(42)；
在所述轻掺杂层(42)内形成的第二型半导体材料的体区(44)；
在所述体区(44)内形成的所述第一型的源区(46)，所述源区(46)比所述轻掺杂层(42)掺杂得更多；
在所述轻掺杂层(42)内形成的所述第一型的漏区(50)，所述漏区(50)比所述轻掺杂层(42)掺杂得更多；
设置在所述体区(44)和所述漏区(50)之间的所述轻掺杂层(42)的漂移区(54)；
部分设置于所述漂移区(54)上方的栅电极(34A)，其中所述栅电极(34A)控制所述漂移区(54)内的电场；
包围环(34B)，部分设置在所述轻掺杂层(42)上方，其中所述栅电极(34A)和所述包围环(34B)完全包围所述漏区(50)，以及
在平面视图中呈马蹄形的所述第二型的区(48)，所述马蹄形区(48)在所述体区(44)内形成，所述马蹄形区(48)比所述体区(44)掺杂得更多，所述马蹄形区(48)部分包围所述源区(46)；
其中所述马蹄形区(48)与所述源区(46)和所述体区(44)电接触，
其中所述马蹄形区(48)和所述源区(46)彼此直接接触。
2.如权利要求1所述的器件，其中所述栅电极(34A)部分设置于薄氧化物(36)上并且部分设置于厚氧化物(56)上，其中从所述薄氧化物(36)上方在所述厚氧化物(56)上延伸的所述栅电极(34A)控制所述漂移区(54)内的电场以增大所述漏区(50)的雪崩击穿。
3.如权利要求1或2所述的器件，还包括部分包围所述源区(46)和所述漏区(50)的泄漏抑制环(62)，所述泄漏抑制环(62)电连接到所述源区(46)。
4.一种在第一型的衬底上制造晶体管器件的方法，包括步骤：
在该衬底内形成第二型的阱(42)；
在所述阱(42)内限定有源区；
形成所述有源区周围的厚场氧化物(56)；
在所述有源区上形成薄栅氧化物(36)；
形成栅电极(34A)和包围环(34B)，所述包围环(34B)部分设置在所述阱(42)上方，其中所述栅电极(34A)和所述包围环(34B)完全包围要形成漏区(50)的区域；
形成体区(44)和源区(46)；以及
形成源区(46)周围的区(48)，所述区(48)在平面视图中呈马蹄形，并且形成为使得所述马蹄形区(48)和所述源区(46)直接彼此接触。
5.如权利要求4所述的方法，其中所述栅电极(34A)部分设置于所述体区(44)和漂移区(54)上方。
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