[发明专利]除去化学气相沉积(CVD)腔内的表面沉积物和钝化内表面的方法无效
申请号: | 200680028522.6 | 申请日: | 2006-08-02 |
公开(公告)号: | CN101313085A | 公开(公告)日: | 2008-11-26 |
发明(设计)人: | H·H·萨温;B·白;J·J·安 | 申请(专利权)人: | 麻省理工学院 |
主分类号: | C23C16/44 | 分类号: | C23C16/44 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人: | 邹雪梅;范赤 |
地址: | 美国马*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 除去 化学 沉积 cvd 表面 沉积物 钝化 方法 | ||
1.一种活化的气体混合物,所述混合物包含:
约60%-约75%的氟原子,
约10%-约30%的氮原子,
任选最高达约15%的氧原子,以及
约0.3%-约15%的一种或多种选自由碳和硫组成的组中的原子。
2.权利要求1的活化的气体混合物,其中,
氟原子的百分比为约66%-约74%,
氮原子的百分比为约11%-约24%,
氧原子的百分比为约0.9%-约11%,以及
一种或多种选自由碳和硫组成的组中的原子的百分比为约0.6%-约 11%。
3.权利要求1或权利要求2的活化的气体混合物,其中,所述一种 或多种选自由碳和硫组成的组中的原子是碳。
4.权利要求1的活化的气体混合物,进一步包含载气。
5.权利要求4的活化的气体混合物,其中所述载气选自由氩和氦组 成的组。
6.权利要求5的活化的气体混合物,其中所述载气是氩。
7.一种用于腐蚀和除去CVD装置内表面上的表面沉积物的方法, 所述方法包括:在远程腔内活化气体混合物,该气体混合物含有氧源、 一种或多种选自由碳和硫组成的组中的原子源以及NF3,其中,氧源∶ 一种或多种选自由碳和硫组成的组中的原子源的摩尔比率至少为约 0.75∶1,且其中NF3在所述气体混合物中的摩尔百分比为约50%-约98%; 使所述活化的气体混合物流经管道而进入加工腔,从而减小气相物种在 所述CVD装置内表面上的表面复合速率。
8.权利要求7的方法,其中所述一种或多种选自由碳和硫组成的组 中的原子是碳。
9.权利要求7的方法,其中所述装置为PECVD装置。
10.权利要求7的方法,其中,装置的内表面是用选自由铝和阳极 氧化铝组成的组中的材料制成的。
11.权利要求7的方法,其中,管道是经冷却的。
12.权利要求7的方法,其中,节流阀被用于在清洗周期期间内增 加装置内的压力。
13.权利要求8的方法,其中所述氧源为分子氧。
14.权利要求8的方法,其中所述碳源为碳氟化合物。
15.权利要求14的方法,其中所述碳氟化合物是全氟碳化合物。
16.权利要求14的方法,其中所述碳氟化合物选自由四氟甲烷、六 氟乙烷、八氟丙烷、全氟四氢呋喃以及八氟环丁烷组成的组。
17.权利要求14的方法,其中所述碳氟化合物是六氟乙烷。
18.权利要求14的方法,其中所述碳氟化合物是八氟环丁烷。
19.权利要求7的方法,其中所述气体混合物中NF3的摩尔百分比 为约60%-约98%。
20.权利要求7的方法,其中所述气体混合物中的NF3为约70%- 约90%。
21.权利要求14的方法,其中所述氧源∶碳源的比率为约1∶1。
22.权利要求14的方法,其中所述氧源和碳源为二氧化碳,且气体 混合物中二氧化碳的摩尔百分比为约2%-约15%。
23.权利要求7的方法,其中所述气体混合物进一步含有载气。
24.权利要求23的方法,其中,所述载气选自由氩和氦组成的组。
25.权利要求7的方法,其中,加工腔内的压力为约0.5托-约20 托。
26.权利要求7的方法,其中,加工腔内的压力为约1托-约15托。
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C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的