[发明专利]芯片电阻器及其制造方法

权利要求书

1.一种芯片电阻器，在大块基板的表、背两面格子状地形成作为V形槽的一次分割槽和二次分割槽，且通过将该大块基板沿上述一次分割槽和上述二次分割槽依次分割而一并制造很多个的方形芯片电阻器中，其特征在于，

具备：使与长方向正交的截面的形状大体为正方形的四角柱状的绝缘性基台；在该绝缘性基台的大体长方形的表面的长方向两端部设置的一对表面电极；设置在上述绝缘性基台的表面上且两端部与上述一对表面电极重叠的电阻体；覆盖该电阻体的保护层；在上述绝缘性基台的背面的长方向两端部设置的一对背面电极；以及，设置在上述绝缘性基台的大体正方形的两端面上且桥接上述表面电极和上述背面电极的一对端面电极，

使上述背面电极在作为上述二次分割槽的一部分而在沿上述绝缘性基台的背面的长方向的两侧缘部形成的倾斜面上延伸。

2.根据权利要求1所述的芯片电阻器，其特征在于，

使上述倾斜面比作为二次分割槽的一部分而在沿上述绝缘性基台的表面的长方向的两侧缘部形成的倾斜面大。

3.一种芯片电阻器的制造方法，其特征在于，

具备：在表、背两面上格子状地形成作为V形槽的一次分割槽和二次分割槽的大块基板的表面上形成多个横穿上述一次分割槽且邻接上述二次分割槽的表面电极，并且在上述大块基板的背面形成多个横穿上述二次分割槽且邻接上述一次分割槽的背面电极的电极形成工序；

在上述大块基板的表面形成多个两端部与上述表面电极重叠的电阻体的电阻体形成工序；

形成覆盖上述电阻体的保护层的保护层形成工序；

在将形成上述保护层的上述大块基板沿上述一次分割槽分割为长方形后，在其分割面上形成端面电极并桥接上述表面电极和上述背面电极的端面电极形成工序；以及，

在将形成上述端面电极的上述长方形基板沿上述二次分割槽分割为四角柱状的单片后，将各单片的上述表面电极和背面电极及端面电极电镀并成为芯片电阻器的电极电镀工序，

上述大块基板由上述一次分割槽及二次分割槽所划分的各长方形的短边的长度和该大块基板的厚度设定为大体相等，而且，在上述电极形成工序中，使该背面电极在作为上述二次分割槽而在上述大块基板的上述背面电极一侧的面上存在的V形槽的倾斜面上延伸。

4.根据权利要求3所述的芯片电阻器的制造方法，其特征在于，

上述二次分割槽的深度为在背面形成的二次分割槽比在上述大块基板的表面形成的二次分割槽更深。

5.根据权利要求3或4所述的芯片电阻器的制造方法，其特征在于，

在上述端面电极形成工序中，通过溅射而薄膜状地形成上述端面电极。