[发明专利]杂质导入装置和杂质导入方法无效
| 申请号: | 200680010324.7 | 申请日: | 2006-03-29 |
| 公开(公告)号: | CN101151707A | 公开(公告)日: | 2008-03-26 |
| 发明(设计)人: | 水野文二;中山一郎;佐佐木雄一朗;奥村智洋;金成国;伊藤裕之 | 申请(专利权)人: | 松下电器产业株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/677;H01L21/265 |
| 代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 肖鹂 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 杂质 导入 装置 方法 | ||
1.一种通过使用等离子体将多种杂质导入固体试样中的杂质导入装置,
所述装置包括下列机构中的至少一个,或打算将下列机构中的一个作为装置组:
1与每种期望的杂质独立的杂质导入机构;
2与每种期望的杂质独立的固体试样传送机构;
3用于连接与每种期望的杂质独立的所述杂质导入机构和所述固体试样传送机构的传送机构;
4专门放置每种期望的杂质的并且用于去除树脂以防止杂质导入的机构;
5用于连接与每种期望的杂质独立的多个杂质导入装置的试样传送机构;以及
6用于在与每种期望的杂质独立的杂质导入装置和用于去除树脂的装置之间传送试样和试样组的机构。
2.如权利要求1所述的杂质导入装置,其中所述试样是包括半导体衬底或半导体薄膜的衬底,并且在所有步骤或部分步骤的处理中使用等离子体,以将多种杂质导入到所述半导体衬底或所述半导体薄膜内。
3.通过使用等离子体用于将多种杂质导入固体试样中的杂质导入装置,所述装置包括下列机构中的至少一个,或打算将下列机构中的一个作为装置组,
其中在使固体试样保持电、机械或一些特定功能所需的期望的杂质即使在一些组合中在杂质导入步骤中的处理过程中杂质彼此相互混合也不破坏其功能并且在其它的组合中破坏相互特定功能的情况下,以非优选的杂质没有彼此混合的方式,所述装置包括下列机构中的至少一个,或打算将下列机构中的一个用于装置组:
1能够同时导入即使它们彼此混合也不破坏功能的杂质的杂质导入机构;
2仅对于即使它们彼此混合也不破坏功能的杂质的组合是专有地独立的固体试样传送机构;
3仅专有地且独立地传送到将要导入的即使它们彼此混合也不破坏功能的杂质或导入杂质的固体试样的固体式样传送机构;
4专门放置即使它们彼此混合也不破坏功能的杂质的每种组合的并且用于去除树脂以防止与非优选的杂质混合的机构;
5用于连接专门放置即使它们彼此混合也不破坏功能的杂质的每种组合的多个杂质导入装置的试样传送机构;以及
6用于在专门放置即使它们彼此混合也不破坏功能的杂质的每种组合的杂质导入装置和用于去除树脂的装置之间传送试样和试样组的机构。
4.如权利要求3所述的杂质导入装置,其中所述固体试样是半导体衬底或包括半导体薄膜的衬底,并且在所有步骤或部分步骤的处理中使用等离子体,以将多种杂质导入到所述半导体衬底和所述半导体薄膜内。
5.如权利要求2或4所述的杂质导入装置,其中一些杂质表现出正P型并且其它的表现出负N型,其作为电的直接的特定功能。
6.如权利要求2或4所述的杂质导入装置,其中所述杂质具有改变晶体的、多晶体的和无定形的晶格以及原子和分子的耦合状态的功能,其作为电的间接的特定功能。
7.如权利要求6所述的杂质导入装置,其中所述杂质具有无定形化功能,作为改变晶体的和多晶体的晶格以及原子和分子的耦合状态的功能。
8.一种通过使用根据权利要求1所述的杂质导入装置,在所有步骤或部分步骤的处理中使用等离子体,将多种杂质导入固体试样内的杂质导入方法,
其中直接或间接使固体试样保持电、机械或一些特定功能所需的期望的杂质在一些组合中在杂质导入步骤中的处理过程中如果杂质彼此相互混合而破坏某些特定功能的情况下,以对应杂质没有彼此混合的方式,所述方法包括使用下列机构的步骤中的至少一个,或打算将使用下列机构的步骤中的一个用于步骤的组合:
1通过使用与每种期望的杂质独立的杂质导入机构执行的杂质导入步骤;
2通过与每种期望的杂质独立的固体试样传送机构执行的传送步骤;
3通过用于连接与每种期望的杂质独立的所述杂质导入机构和所述固体试样传送机构的传送机构执行的传送步骤;
4通过专门放置每种期望的杂质的并且用于去除树脂以防止与其它杂质混合的机构执行的树脂去除步骤;
5通过用于连接与每种期望的杂质独立的多个杂质导入装置的试样传送机构执行的传送步骤;以及
6通过在与每种期望的杂质独立的杂质导入装置和用于去除树脂的装置之间传送试样和试样组的机构执行的传送步骤。
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