[发明专利]处理装置无效
| 申请号: | 200680001198.9 | 申请日: | 2006-10-18 |
| 公开(公告)号: | CN101061572A | 公开(公告)日: | 2007-10-24 |
| 发明(设计)人: | 西本伸也;汤浅珠树 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/205 | 分类号: | H01L21/205;C23C16/44;H01L21/3065;H01L21/31 |
| 代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
| 地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 装置 | ||
1.一种处理装置,对被处理体进行规定处理,其特征在于,包括:
可排气的金属制处理容器;
为了载置被处理体设置在所述处理容器内的载置台;
用于对所述被处理体进行加热的加热部件;以及
将处理气体导入所述处理容器内的气体导入单元,其中,
所述处理容器由相互连结的多个块体构成,在邻接块体之间设置有块体间真空隔热层,
所述邻接块体以在上下方向相互邻接的方式进行配置,
所述各个块体上设置有对该块体进行加热的块体加热部件或进行冷却的块体冷却部件,
所述各个块体上设置有对该块体的温度进行检测用的温度检测部件,
设置在所述各个块体上的所述块体加热部件或所述块体冷却部件与温度控制单元连接,所述温度控制单元根据该温度检测部件检测出的各个块体的温度,以使各个块体的温度成为目标值的方式而对设置在所述各个块体上的所述块体加热部件或所述块体冷却部件进行控制。
2.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述块体间真空隔热层通过在所述上下方向邻接的块体、和气密地封闭设置在所述块体之间的块体间间隙之内周侧以及外周侧的密封部件形成,
所述处理装置还包括将所述块体间间隙抽真空并使其作为所述块体间真空隔热层而起作用的真空排气系统。
3.如权利要求2所述的处理装置,其特征在于:
所述邻接块体相互不直接接触。
4.如权利要求3所述的处理装置,其特征在于:
用于在所述邻接块体间形成所述块体间间隙的非金属制的间隔部件被设置在所述邻接块体之间。
5.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述多个块体中至少一个块体的外周面被保护罩部件覆盖,在所述外周面与保护罩部件之间设置有外侧真空隔热层。
6.如权利要求5所述的处理装置,其特征在于:
所述外侧真空隔热层通过所述块体以及所述保护罩部件、以及气密地密封设置在其间的外侧间隙端部的密封部件形成,
该处理装置还包括将所述外侧间隙抽真空并使其作为所述外侧真空隔热层而起作用的真空排气系统。
7.如权利要求6所述的处理装置,其特征在于:
所述块体间间隙和所述外侧间隙通过连通通路连通,通过共同的真空排气系统进行抽真空。
8.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述多个块体中的至少一个上设置有块体加热部件。
9.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述多个块体中的至少一个上设置有块体冷却部件。
10.如权利要求1所述的处理装置,其特征在于:
所述各个块体被分别控制在不同的温度。
11.如权利要求2所述的处理装置,其特征在于:
还包括为了在所述处理容器内产生等离子体而在所述处理容器内形成电场、磁场或电磁场的等离子体形成单元;或将在所述处理容器外生成的等离子体供给至所述处理容器内的等离子体导入单元,
在所述块体间间隙中,在比所述内周侧的密封部件更靠内的内周侧上,设置有用于防止处理容器内的等离子体侵入所述块体间间隙的防止等离子体侵入用环部件。
12.如权利要求11所述的处理装置,其特征在于:
所述处理装置具有所述等离子体形成单元,
所述等离子体形成单元由将微波或高频波供给至所述处理容器内的部件而构成,
在所述块体间间隙中设置有使所述邻接块体间电气导通并防止微波或高频波泄漏至所述处理容器外部的屏蔽部件。
13.如权利要求11所述的处理装置,其特征在于:
所述处理装置具有所述等离子体形成单元,
所述等离子体形成单元由将微波供给至所述处理容器内的部件构成,
在所述处理容器的顶棚部设置有使微波透过的顶板,
在所述顶板上,设置有用于将微波导入所述处理容器内的平面天线部件。
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