[发明专利]自对准金属硅化物的制造方法无效
| 申请号： | 200610148246.9 | 申请日： | 2006-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN101211781A | 公开（公告）日： | 2008-07-02 |
| 发明（设计）人： | 朱津泉;周祖源 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/321 | 分类号： | H01L21/321;H01L21/28;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 对准 金属硅 制造 方法 | ||
1.一种自对准金属硅化物的制造方法，包括：
提供一半导体基底，在所述半导体基底表面至少有一硅区域；
在所述半导体基底上形成金属层；
对所述半导体基底执行第一步退火工艺；
对所述半导体基底执行第二步退火工艺；
通过刻蚀去除所述金属层。
2.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：该方法进一步包括在所述半导体基底上形成金属层之前对所述半导体基底表面进行预清洗的步骤。
3.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述金属层为钴、镍中的一种或其合金。
4.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第一步退火为280至650度的温度下的快速热退火。
5.如权利要求4所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第一步退火的时间为3至60s。
6.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第二步退火为360至900度的温度下的快速热退火。
7.如权利要求6所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第二步退火工艺的时间为3至60s。
8.如权利要求1所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述刻蚀的方法为湿法刻蚀。
9.一种自对准金属硅化物的制造方法，包括：
提供一半导体基底，在所述半导体基底表面至少有一硅区域；
在所述半导体基底上形成金属层；
对所述半导体基底执行第一步退火工艺并原位执行第二步退火工艺；
通过刻蚀去除所述金属层。
10.如权利要求9所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第二步退火为360至900度的温度下的快速热退火。
11.如权利要求10所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第二步退火的持续时间为3至60s。
12.如权利要求10所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第二步退火的持续时间为0至3s。
13.如权利要求9所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述金属层为钴、镍中的一种或其合金。
14.一种自对准金属硅化物的制造方法，包括：
提供一半导体基底，在所述半导体基底表面至少有一硅区域；
在所述半导体基底上形成金属层；
将所述半导体基底升温至第一温度并持续时间T1，继续将所述半导体基底升温第二温度并持续时间T2；
使所述半导体基底冷却至常温；
通过刻蚀去除所述金属层。
15.如权利要求14所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第一温度范围为280至650度。
16.如权利要求14所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述T1的范围为3至60s。
17.如权利要求14所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述第二温度范围为360至900度。
18.如权利要求14所述的自对准金属硅化物的制造方法，其特征在于：所述T2的范围为0至60s。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
