[发明专利]发光装置

说明书

技术领域

本发明关于一种发光装置(light emitting device)，且特别关于一种出光强度分布较为均匀的发光装置。

背景技术

图1A是传统的发光装置的上视图，图1B是沿图1A中A-A’线的剖面示意图，而图2是图1A中透镜阵列的立体图。请参照图1A、图1B与图2，传统的发光装置100包括一基板110、多个发光二极管(light-emitting diode，LED)芯片120与一透镜阵列130。发光二极管芯片120是配置在基板110上，且排列成一2×2阵列。透镜阵列130是配置在基板110上，且包覆发光二极管芯片120。透镜阵列130可区分为多个透镜132，其中各透镜132是对应一个发光二极管芯片120，且各透镜132的出光面133是四角锥状的凹陷的表面。

承上述，透镜阵列130是用以增加发光二极管芯片120的出光量，以避免发光二极管芯片120所发出的光线在发光二极管芯片120内部发生全反射而无法出射。此外，上述多个发光二极管芯片120包括一颗红光发光二极管芯片121、一颗蓝光发光二极管芯片122与两个绿光发光二极管芯片123。这些发光颜色不同的发光二极管芯片120所发出的红光、绿光与蓝光混光后可形成白光。

然而，就图1B由言，由于红光发光二极管芯片121左边有一个包覆绿光发光二极管芯片123的透镜130，而右边则没有透镜，以致于红光发光二极管芯片121所发出的光线124的出光光型不对称。同理，在不同剖面中，亦会有出光光型不对称的问题。在实际测量中可发现此出光光型不对称的现象非常明显，请参照以下说明。

图3A至图3D分别为从图1A中观察面S1至S4所测得的红光发光二极管芯片的出光光型(radiation pattern)图。请参照图3A至图3D，从图3A至图3C中显示出在观察面S1至S3(请参图1A)所测量到的红光发光二极管芯片121的出光光型较不对称。换句话说，发光装置100的红光的出光强度分布不对称。同理，发光装置100的蓝光与绿光的出光强度分布亦会有不对称的情形，如此将会产生混光不均的问题，以致于在特定的角度所观察到的光会有偏蓝、偏绿或偏红的现象。

发明内容

本发明的目的是提供一种发光装置，其出光强度分布较为均匀。

为达上述或是其它目的，本发明提出一种发光装置，其包括一基板、多个光源以及一透镜阵列。其中，光源与透镜阵列是配置在基板上，且光源是沿一多边形轨迹排列。透镜阵列包括多个第一透镜与多个第二透镜，第一透镜是覆盖光源，且分别对应这些光源其中之一，而第二透镜是围绕第一透镜。由于透镜阵列具有多个第二透镜围绕对应光源的第一透镜，其可使各光源自透镜阵列出射后的出光光型较为对称，因此本发明的发光装置的出光强度分布较为均匀。

为让本发明的上述和其它目的、特征和优点能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下。

附图说明

图1A是传统的发光装置的上视图。

图1B是沿图1A中A-A’线的剖面示意图。

图2是图1A中透镜阵列的立体图。

图3A至图3D分别为从图1A中观察面S1至S4所测得的红光发光二极管芯片的出光光型图。

图4A是本发明一实施例的发光装置的上视图。

图4B是沿图4A中B-B’线的剖面示意图。

图5是图4A中透镜阵列的立体图。

图6A至图6D中是分别从图4A中观察面S1至S4所测得的红光光源的出光光型图。

图7A至图7C是本发明另一实施例的三种透镜阵列与光源的剖面示意图。

图8A是本发明又一实施例的发光装置的上视图。

图8B是沿图8A中C-C’线的剖面示意图。

图9是图8A中透镜阵列的立体图。

图10A至图10D是分别从图8A中观察面S1至S4所测得的红光光源的出光光型图。

图11是本发明再一实施例的发光装置的示意图。

主要组件符号说明

30、32、34：四边形轨迹

40、42：六边形轨迹

100、200、200’、300：发光装置

110、210、310：基板

120：发光二极管芯片

121：红光发光二极管芯片

122：蓝光发光二极管芯片

123：绿光发光二极管芯片

124、224：光线

130、230、230a～230d、330：透镜阵列

132：透镜

133、233：出光面