[发明专利]半导体器件的栅极制造方法和半导体器件有效
| 申请号： | 200610118839.0 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192526A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 吴汉明;张海洋;刘乒;陈海华 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/28 | 分类号： | H01L21/28;H01L21/336;H01L29/78;H01L29/423;H01L29/49 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体器件 栅极 制造 方法 | ||
1.一种半导体器件的栅极制造方法，包括：
在半导体衬底上形成介质层；
在所述介质层表面淀积第一多晶硅层并对所述第一多晶硅层进行n型掺杂；
在所述第一多晶硅层表面淀积第二多晶硅层；
干法刻蚀所述第一多晶硅层和第二多晶硅层形成栅极。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述n型掺杂为原位掺杂，掺杂的杂质为磷或砷。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括对所述第二多晶硅层进行n型掺杂的步骤。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于：所述n型掺杂的杂质为磷或砷。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述方法还包括对所述第二多晶硅层进行p型掺杂的步骤。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于：所述p型掺杂的杂质为硼或锗。
7.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第一多晶硅层的厚度为600～1000
8.如权利要求1所述的方法，其特征在于：所述第二多晶硅层的厚度为200～300
9.一种半导体器件，包括：半导体衬底，在所述半导体衬底表面形成的介质层，以及在所述介质层表面形成的栅极，其特征在于：所述栅极为T形结构，所述T形结构具有下层n型原位掺杂的多晶硅层和上层多晶硅层。
10.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述上层多晶硅层的高度为200～300
11.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述n型杂质为磷或砷。
12.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述上层多晶硅层还包括n型杂质。
13.如权利要求12所述的半导体器件，其特征在于：所述n型杂质为磷或砷。
14.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述上层多晶硅层还包括p型杂质。
15.如权利要求14所述的半导体器件，其特征在于：所述p型杂质为硼或锗。
16.如权利要求9所述的半导体器件，其特征在于：所述下层多晶硅层的高度为600～1000
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司，未经中芯国际集成电路制造（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/200610118839.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
