[发明专利]器件制作方法及器件电性能的调整方法有效
| 申请号： | 200610118815.5 | 申请日： | 2006-11-28 |
| 公开（公告）号： | CN101192539A | 公开（公告）日： | 2008-06-04 |
| 发明（设计）人： | 陈泰江;谷媛媛 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/324;H01L21/66 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 | 代理人： | 逯长明 |
| 地址： | 201203*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 器件 制作方法 性能 调整 方法 | ||
1.一种器件的制作方法，包括步骤：
提供衬底，且所述衬底上至少具有一个包含轻掺杂漏区和栅极的器件；
由器件的电性能参数设计值确定氧气的加入量；
按照所述加入量对所述衬底进行加入氧气的快速热退火处理。
2.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述电性能参数为轻掺杂漏区的电阻和/或阈值电压。
3.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述氧气的流量小于10sccm。
4.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述快速热退火处理过程中还加入氮气。
5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于：所述氮气和氧气的流量比在100∶1到8∶2之间。
6.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述快速热退火处理的温度在600到1100℃之间。
7.如权利要求1所述的制作方法，其特征在于：所述快速热退火处理的时间在10秒到120秒之间。
8.一种器件电性能的调整方法，包括步骤：
提供衬底和样片，且所述衬底或样片上至少具有一个包含轻掺杂漏区和栅极的器件；
对所述样片进行加入氧气的快速热退火处理；
测试所述样片上的器件电性能参数的实际值；
由所述器件电性能参数设计值和实际值确定氧气的加入量；
按照所述加入量对所述衬底进行加入氧气的快速热退火处理。
9.如权利要求8所述的调整方法，其特征在于：所述电性能参数为轻掺杂漏区的电阻或阈值电压。
10.如权利要求8所述的调整方法，其特征在于：所述氧气的流量小于10sccm。
11.如权利要求8所述的调整方法，其特征在于：所述快速热退火处理过程中还加入氮气。
12.如权利要求11所述的调整方法，其特征在于：所述氮气和氧气的流量比在100∶1到8∶2之间。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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