[发明专利]导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺有效
| 申请号： | 200410086564.8 | 申请日： | 2004-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN1617363A | 公开（公告）日： | 2005-05-18 |
| 发明（设计）人： | 彭晖;彭刚;罗威 | 申请（专利权）人： | 金芃 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L21/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 100871北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 导电 绝缘 氮化 生长 衬底 及其 低成本 生产技术 工艺 | ||
【说明书】：
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