[其他]整个半导体层无电气缺陷的半导体器件及其制造方法

权利要求书

1、一种半导体器件，其特征在于，该器件包括：

一层半导体层;

一对电极，其间放置所说半导体层;

一种光可固化的树脂，用以治愈在所说半导体层的制造期间无意在其中产生的缝隙。

2、根据权利要求1的器件，其特征在于，其中所说光可固化的树脂是一正性光致蚀剂。

3、根据权利要求1的器件，其特征在于，其中所说光可固化的树脂是一负性光致蚀剂。

4、根据权利要求1的器件，其特征在于所说半导体层的层中含有-pin结的多层结构。

5、根据权利要求1的器件，其特征在于，其中所说缝隙是一针孔。

6、根据权利要求1的半导体，其特征在于，其中所说的电极由ITO、In₂O₃、SnO₂或ITN制成。

7、权利要求6的半导体器件，其特征在于，其中所说的电极敷有一层金属层。

8、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，其中所说的金属层由铝、铬或银制成。

9、根据权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的器件是一种光电器件。

10、权利要求1的半导体器件，其特征在于，所说的器件是一种光发射器件。

11、权利要求10的半导体器件，其特征在于，所说的器件具有超点阵结构。

12、一种生产半导体器件的方法，其特征在于该方法包括下列工序：备制半导体层;

用一光可固化树脂涂敷整个半导体层并用以填塞该半导体层的缝隙;

为了使所说缝隙中的所说层部分不溶但其余部分可溶，用一个光辐射所说半导体层;

用一溶剂除去所说半导体层的可溶部分;以及

在所说半导体层上形成另一层。

13、根据权利要求12的方法，其特征在于，其中所说的另一层是准备做电极的导电层。

14、根据权利要求12的方法，其特征在于，其中所说光可固化树脂是一种正性光致抗蚀剂。

15、根据权利要求14的方法，其特征在于，其中所说光是从所说正性光致抗蚀剂一侧照射的紫外光。

16、根据权利要求12的方法，其特征在于，其中所说光可固化树脂是一种负性光致抗蚀剂。

17、根据权利要求16的方法，其特征在于，其中所说光是从所说半导体层一侧照射的紫外光。