[其他]化合物半导体平面结型器件欧姆接触的制备方法在审
| 申请号： | 101985000005699 | 申请日： | 1985-07-19 |
| 公开（公告）号： | CN85105699B | 公开（公告）日： | 1987-02-25 |
| 发明（设计）人： | 吴丁芬;程宗权 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海冶金研究所 |
| 主分类号： | 分类号： | ||
| 代理公司： | 中国科学院上海专利事务所 | 代理人： | 季良赳 |
| 地址： | 上海长宁*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 化合物 半导体 平面 器件 欧姆 接触 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1、一种在GaInAs或InP平面结型器件的N型和P型层上用同一材料一次蒸发与合金化形成欧姆接触的方法，其特征在于：欧姆接触的合金材料是不含Ni的Au-Ge合金，AuGe合金的Ge含量为1-2wt%。
2、如权利要求1所说的形成欧姆接触的方法，其特征在于平面结型器件是GaInAs为有源层，N区掺杂浓度为1015～1017cm-3，P区掺杂浓度1019～1020cm-3，蒸发AuGe合金，Ge含量为1-2wt%或先蒸发150的Ge，再蒸发2500Au，合金化温度400-410℃，时间1分钟。
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