[发明专利]导体柱的形成方法无效

专利信息
申请号: 02103422.2 申请日: 2002-02-05
公开(公告)号: CN1362852A 公开(公告)日: 2002-08-07
发明(设计)人: 宫振越;何昆耀 申请(专利权)人: 威盛电子股份有限公司
主分类号: H05K3/40 分类号: H05K3/40;H05K3/46
代理公司: 北京集佳专利商标事务所 代理人: 王学强
地址: 台湾省台北县*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 导体 形成 方法
【权利要求书】:

1.一种导体柱的形成方法,适合于一基材上制作复数个导体柱,其特征在于:该方法至少包括:

提供一导体线材;

提供一治具,该治具上配置有复数个线材引导头,其中该些线材引导头利用电弧瞬间对该导体线材进行加热;

将该导体线材引导至该些线材引导头内,凭借该些线材引导头瞬间融镕该导体线材,以于该些线材引导头下方形成复数个滴状导体;

移动该些线材引导头,以将该些导体柱形成于该基材上。

2.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该些导体线材可选自铝、金、银、铜、铂、锌、锡铅合金其中之一。

3.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该导体线材包括:

一第一导体线材;

至少一第二导体层,该第二导体层包覆于该第一导体线材外。

4.如权利要求3所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该第一导体线材为锡线材,而该第二导体层为铜层。

5.如权利要求3所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该第一导体线材为铜线材,而该第二导体层为锡层。

6.如权利要求3所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该第一导体线材为合金钢材,而该第二导体层包括锡、银其中之一。

7.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该导体线材的直径介于1微米至200微米之间。

8.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该些线材引导头的移动方式包括:

将该些线材引导头往靠近基材方向移动,以使得该些滴状导体附着于该基材上;

将该些线材引导头往远离基材方向,以控制该些导体柱的高度与尺寸。

9.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该些线材引导头的移动方式包括:

将该些线材引导头往靠近基材方向移动,以使得该些滴状导体附着于该基材上;

将该些线材引导头往远离基材方向,以控制该些导体柱的高度与尺寸;

重复上述步骤至少一次。

10.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该基材为一印刷电路板。

11.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该基材为一封装用的承载器。

12.如权利要求1所述的导体柱的形成方法,其特征在于:其中该基材为一晶圆。

13.一种积层基板制作工艺,其特征在于:至少包括:

提供一载具,该载具上配置有一第一导体层;

在该第一导体层上形成复数个导体柱;

在该第一导体层上形成一第一介电层,其中该第一介电层将该些导体柱包覆,且该些导体柱的顶端暴露于该第一介电层表面,其中该些导体柱的形成方法包括:

提供一导体线材;

提供一治具,该治具上配置有复数个线材引导头,其中该些线材引导头利用电弧瞬间对该导体线材进行加热;

将该导体线材引导至该些线材引导头内,凭借该些线材引导头瞬间融镕该导体线材,以于该些线材引导头下方形成复数个滴状导体;

移动该些线材引导头,以于该第一导体层上形成该些导体柱;

在该第一介电层上形成一第二导体层;

定义该第一导体层及该第二导体层,以使得该第一导体层与该第二导体层图案化;

于该第一导体层及该第二导体层上进行至少一增层制作。

14.如权利要求13所述的积层基板制作工艺,其特征在于:其中该些导体线材可选自铝、金、银、铜、铂、锌、锡铅合金其中之一。

15.如权利要求13所述的积层基板制作工艺,其特征在于:其中该导体线材包括:

一第一导体线材;

至少一第二导体层,该第二导体层包覆于该第一导体线材外。

16.如权利要求15所述的积层基板制作工艺,其特征在于:其中该第一导体线材为锡线材,而该第二导体层为铜层。

17.如权利要求15所述的积层基板制作工艺,其特征在于:其中该第一导体线材为铜线材,而该第二导体层为锡层。

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