[发明专利]抛光剂及其制造方法以及抛光方法

说明书

技术领域

本发明涉及由基体粒子和超微细磨料构成的抛光剂及抛光方法，特别是涉及超微细磨料保持于基体粒子表面的抛光剂材料及抛光方法。

背景技术

近年来，在半导体衬底及磁盘衬底之类的尖端电子器件及其衬底的精加工工序中，采用使用了各种抛光布的游离磨料的抛光技术。在这些工序中，为了实现镜面加工，使用织布、无纺布、发泡体等有弹性的抛光布作为工具。大约30年前，织布应用得较多，但由于织眼对粗糙度和起伏有不良影响，所以逐渐被淘汰，以无纺布代之得到了越来越多地应用，但无纺布由于其密度不匀称，所以它对微小的起伏仍带来不利的影响，最近发泡体的使用增加。

而且，最近的精密抛光中要求形状精度高的加工，更硬的抛光布已经被人们所喜爱，但是使用硬质抛光布时有难以达到要求的粗糙度、容易产生划痕等问题，鉴于此人们提出了将硬质树脂层和软质树脂叠合的双层抛光布等。

但是以往的抛光剂及抛光方法存在如下各种各样的问题。例如，以往的抛光技术存在着随着抛光时间的延长，抛光布表面的凹凸变少，同时磨削屑与抛光材料堆积而使抛光效率下降的现象。因此，往往进行被称之为修整的作业，即用金刚石磨石将抛光布表面重新磨削的作业。该作业使抛光布寿命缩短，另外，发现从金刚石磨石脱落的磨料引起划痕等问题。

另外，由于抛光布一般具有2～3mm的厚度，所以在因弹性所致的变形变大时，抛光布本身与被抛光体接触，使摩擦阻力增大，使抛光机所需的动力增加。

并且，硅片及液晶玻璃等最近一些被抛光体的口径变大，与此成比例，抛光机也要加大，在其上使用的抛光布也将随之增大。把这样大的抛光布均匀地贴合在抛光机承台上需要有极为熟练的技术。

因此，本发明的目的在于：实现抛光特性的长期稳定，减少与抛光没有直接关系的不必要的摩擦阻力，还提供不需要更换抛光布的抛光剂及其抛光方法。

发明概要

为实现上述目的，本发明由以下部分构成。

抛光被抛光体表面的抛光剂由基体粒子及被保持在其表面上的超微细磨料构成。超微细磨料在抛光过程中被保持在基体粒子上。另外，超微细磨料的特征是：在抛光过程中，即使从基体表面的一部分剥离，也能重新附着于基体表面上。

具体来说，超微细粒子相对于基体粒子的粒径比为1/500～1/5。

另一方面，制造抛光剂的方法由如下工序组成：在分散超微细磨料的抛光液中添加基体粒子并搅拌。

另一方面，使用抛光剂通过抛光装置进行抛光的方法由如下工序所组成：在被抛光体与抛光装置间以所定的量供给上述抛光材料的工序、一边使被抛光体与抛光装置接触一边使两者相对运动的工序。

较好的情况是作为抛光装置使用平滑而且平面性良好的带。

另外，一边接触一边作相对运动的工序最好是由一边使带以所定的旋转速度旋转，一边抛光前述的被抛光体的工序组成。

更好的情况是作为抛光装置可以用承台。

另外较好的情况是：一边接触一边作相对运动的工序是由一边使承台以所定的旋转速度旋转，一边将被抛光体抛光加工的工序组成。

利用与本发明有关的抛光剂及抛光方法，不使用抛光台等，不使用对抛光无用的一切材料，可无浪费地反复抛光。

另外，在使用承台抛光时，由于被抛光体的整个抛光面均匀受压，所以可均匀一致地抛光。

进一步讲，利用与本发明有关的抛光剂及抛光方法，能够使加工效率提高20～50％，可以改善抛光加工能力。

另外，利用与本发明有关的抛光剂及抛光方法，可望使装置小型化，能实现空间的节省。

附图的简单说明

图1是表示使用有关本发明的抛光剂进行抛光的情况的截面图。

图2是表示遵从本发明的基体粒子的其他实施例的图。

图3是表示遵从本发明的基体粒子的形态的图。

图4是本发明的较好的实施例的电子显微镜照片。

实施发明的最佳方案

以下，一边参照附图一边说明本发明申请。图1为表示使用本发明的抛光剂抛光被抛光体的情况的截面图。

为抛光被抛光体1的表面抛光剂由基体粒子3及被保持在该基体粒子3表面的超微细磨料4构成。抛光过程中，超微细磨料4被保持在抛光剂内的基体粒子3上，超微细磨料的特征是：在抛光中即使抛光剂内的超微细磨料4从基体粒子3的表面的一部分剥离，该超微细磨料粒子4也会重新附着补充在基体粒子3的剥离部分上。

超微细磨料相对于基体粒子的粒径比为1/500～1/5，较好的情况为1/200～1/20。