[发明专利]小电感的电路结构有效
申请号: | 01125041.0 | 申请日: | 2001-08-01 |
公开(公告)号: | CN1336689A | 公开(公告)日: | 2002-02-20 |
发明(设计)人: | 保罗·毛利克 | 申请(专利权)人: | 塞米克朗电子有限公司 |
主分类号: | H01L25/03 | 分类号: | H01L25/03;H01L25/04;H01L25/07;H01L23/52 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人: | 李德山 |
地址: | 联邦德*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电感 电路 结构 | ||
1.具有小的寄生电感的电路结构,它由其上具有相互绝缘的金属连接线的一个电绝缘衬底(9),安装于衬底上的串行连接的第一和第二功率开关,以及直流-(20,21)和交流连接线(22)组成,功率开关分别由多个并联的第一(13)和第二(19)功率晶体管组成,其特征在于,各个第一(13)和第二(19)功率晶体管紧挨着并且串行排列,直流连接线(20,21)在第一段中呈带状紧挨着并行排列直到衬底表面(9)附近或与衬底接触,而且至少一根直流连接线(20)具有其上安装有桥形接片(23)的与衬底表面(9)平行的第二个带状段,其中桥形接片(23)仅通过一个绝缘层与衬底隔离,且具有至少一个与衬底表面(9)的接点(12)。
2.如权利要求1或3所述的电路结构,其特征在于,桥形接片(23)安装于功率晶体管(13、19)之间,并且至少一根直流连接线(20)被设计为压力传递元件用于建立模块的压力接触。
3.如权利要求1或4所述的电路结构,其特征在于,第一和第二功率开关由两行对称于衬底的中轴线安装的功率晶体管构成。
4.如权利要求1至5中任一项所述的电路结构,其特征在于,功率晶体管是IGBT或MOSFET。
5.如权利要求1至5中任一项所述的电路结构,其特征在于,除晶体管外还有一个或多个无载工作的二极管构成功率开关,并且它们与其对应的功率晶体管排列在一行中。
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