[发明专利]无电镀金属衬层形成方法无效
| 申请号： | 01116590.1 | 申请日： | 2001-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN1320953A | 公开（公告）日： | 2001-11-07 |
| 发明（设计）人： | C·J·萨姆布策蒂;S·H·博特彻;P·S·洛克;J·M·鲁滨洛;徐顺天 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L21/283 | 分类号： | H01L21/283;H01L21/441 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 王勇,傅康 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 电镀 金属 形成 方法 | ||
1．一种制作半导体零件的方法，包含：
采用第一材料镀涂介质材料中的窗口，该材料包括CoXY，其中X选自钨、锡、及硅，而Y选自磷和硼。
2．根据权利要求1的方法，其特征是其中的镀涂是无电镀涂。
3．根据权利要求1的方法，其特征是其中第一材料邻接于介质材料。
4．根据权利要求1的方法，其特征是进一步包括在镀涂步骤之前淀积第二材料的步骤。
5．根据权利要求4的方法，其特征是其中第二材料包括选自钽、钛、钨、氮化钨、氮化钽、氮化钛中的一个。
6．根据权利要求1的方法，其特征是其中第一材料的厚度约为50至大约500。
7．根据权利要求6的方法，其特征是其中第一材料的厚度约为150至大约300。
8．一种制作半导体零件的方法，包含：
用第一材料镀涂介质材料中的窗口，该材料包括NiXY，其中X选自钨、锡、及硅，而Y选自磷及硼。
9．根据权利要求8的方法，其特征是其中的镀涂是无电镀涂。
10．根据权利要求8的方法，其特征是其中第一材料邻接于介质材料。
11．根据权利要求8的方法，其特征是进一步包括在镀涂步骤之前淀积第二材料的步骤。
12．根据权利要求11的方法，其特征是其中第二材料包括选自钽、钛、钨、氮化钨、氮化钽、及氮化钛中的一个。
13．根据权利要求8的方法，其特征是其中第一材料的厚度约为50至大约500。
14．根据权利要求13的方法，其特征是其中第一材料的厚度约为150至大约300。
15．一种半导体结构，包括：
具有窗口的半导体介质材料；
对窗口进行衬里的第一材料，此第一材料包含MXY，其中M选自钴和镍，X选自钨、锡和硅，而Y选自磷及硼；以及
填充被衬里的介质材料的第二材料。
16．根据权利要求15的结构，其特征是其中第二材料是金属。
17．根据权利要求16的结构，其特征是其中第二材料是铜。
18．根据权利要求15的结构，其特征是其中第一材料邻接于介质材料，而第二材料邻接于第一材料。
19．根据权利要求15的结构，其特征是进一步包含第三材料，该第三材料排列在介质材料与第一材料之间。
20．根据权利要求19的结构，其特征是其中第三材料邻接于介质材料，第一材料邻接于第三材料，而第二材料邻接于第一材料。
21．根据权利要求19的结构，其特征是其中第三材料包含选自钽、钛、钨、氮化钨、氮化钽、及氮化钛中的一个。
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